公开(公告)号：CN106575702B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201580043366.X

申请日：2015-06-03

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： 朴志勋 ,  胡萨姆·N·阿尔沙雷夫 ,  穆赫德·A·卡恩 ,  伊哈卜·尼扎尔·乌达

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2277 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/20

Abstract: 铁电部件，例如上述的铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电电容器和铁电二极管，可以用作如本发明所述的多级存储器单元。在每个多级存储器单元中存储多个信息位可以由耦合到铁电部件的阵列的控制器执行，该铁电部件的阵列配置为铁电存储器单元。控制器可以执行以下步骤：接收用于写入多级存储器单元的位模式，该多级存储器单元包括铁电层；至少部分地基于接收的位模式选择用于将写入脉冲施加到所述存储器单元的脉冲持续时间；以及将具有选择的脉冲持续时间的至少一个写入脉冲施加到所述存储器单元，其中所述至少一个写入脉冲在所述铁电层内产生代表接收的位模式的残余极化。

公开(公告)号：CN107078218A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060745.X

申请日：2015-06-01

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： 朴志勋 ,  胡萨姆·N·阿尔沙雷夫 ,  伊哈卜·N·乌达

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L27/11507 ,  C09D127/16 ,  C23C16/00 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L29/516 ,  H01L51/052 ,  C08L33/12 ,  C08L25/06 ,  C08L71/12

Abstract: 本发明公开了一种用于制备具有铁电滞后性质的铁电膜的方法，所述方法包括：(a)获得包含溶剂和溶解于其中的有机铁电聚合物的组合物；(b)将所述组合物加热至高于75℃且低于所述溶剂的沸点；(c)将加热的组合物沉积至衬底上；以及(d)使所述加热的组合物退火以形成具有铁电滞后性质和400nm或更小的厚度的铁电膜。

公开(公告)号：CN106575702A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043366.X

申请日：2015-06-03

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： 朴志勋 ,  胡萨姆·N·阿尔沙雷夫 ,  穆赫德·A·卡恩 ,  伊哈卜·尼扎尔·乌达

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2277 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/20

Abstract: 铁电部件，例如上述的铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电电容器和铁电二极管，可以用作如本发明所述的多级存储器单元。在每个多级存储器单元中存储多个信息位可以由耦合到铁电部件的阵列的控制器执行，该铁电部件的阵列配置为铁电存储器单元。控制器可以执行以下步骤：接收用于写入多级存储器单元的位模式，该多级存储器单元包括铁电层；至少部分地基于接收的位模式选择用于将写入脉冲施加到所述存储器单元的脉冲持续时间；以及将具有选择的脉冲持续时间的至少一个写入脉冲施加到所述存储器单元，其中所述至少一个写入脉冲在所述铁电层内产生代表接收的位模式的残余极化。