公开(公告)号：CN117577674A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311845973.0

申请日：2023-12-28

Applicant: 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 ,  芯长征微电子制造(山东)有限公司

Inventor： 刘江涛 ,  穆敬仁 ,  张广银

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/552 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种减少EMI噪声的功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型衬底以及制备于衬底有源区内的若干元胞，元胞为沟槽型元胞；在所述有源区截面上，对任一沟槽型元胞，包括有源栅单元、第一副栅单元组以及第二副栅单元组，有源栅单元位于第一副栅单元组以及第二副栅单元组之间；第一副栅单元组至少包括一个副栅单元；第二副栅单元组至少包括一个副栅单元；副栅单元与衬底上方用于形成第一电极的第一电极金属电连接；在有源区截面上，相邻的元胞之间至少包括一个伪栅单元；伪栅单元、有源栅单元均与衬底上方用于形成第二电极的第二电极金属电连接。该功率器件在降低开关损耗的同时减少了器件的EMI噪声。

公开(公告)号：CN118016723A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410157525.X

申请日：2024-02-04

Applicant: 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 ,  芯长征微电子制造(山东)有限公司

Inventor： 穆敬仁 ,  钱烽 ,  刘江涛 ,  张广银

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种FCE二极管及制备方法，尤其是一种可提升空穴注入效率的FCE二极管及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可提升空穴注入效率的FCE二极管，所述FCE二极管包括：半导体衬底，呈N导电类型；阳极结构，制备于所述半导体衬底的正面；FCE型阴极结构，制备于所述半导体衬底的背面，其中，所述FCE型阴极结构包括阴极N+区、阴极P+区以及与半导体衬底适配电连接的阴极隔离金属；阴极N+区通过阴极隔离金属与阴极P+区间隔，且阴极隔离金属与所间隔的阴极N+区以及阴极P+区均欧姆接触。本发明可提升反向恢复阶段的空穴注入效率，降低阴极的接触效果，与现有工艺兼容，安全可靠。