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公开(公告)号：CN120072668A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510541161.X
申请日：2025-04-28
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法，该方法包括以下步骤：提供载体晶圆，研磨载体晶圆用于承载芯片的第一表面，使其平整；清洁后，对第一表面进行等离子刻蚀；并在等离子刻蚀后的第一表面溅射不锈钢层；提供衬底晶圆，将芯片贴装在衬底晶圆表面；并利用树脂胶覆盖所有芯片和衬底晶圆表面；将载体晶圆覆盖至衬底晶圆上，不锈钢层接触树脂胶，使用压合设备进行加压，使载体晶圆的不锈钢层和衬底晶圆的树脂胶粘合；剥离衬底晶圆，得到芯片有源面裸露的重组后的晶圆结构。本发明提供的方法能够大大改善eWLB封装作业流程中的承载晶圆键合后与膜类树脂之间的结合力，避免后续作业过程中异常的发生。
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