一种用于外圆弧半径卡尺示值误差校准的圆弧检具

    公开(公告)号:CN221464531U

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202420177651.7

    申请日:2024-01-25

    Inventor: 秦洁 陈君

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于外圆弧半径卡尺示值误差校准的圆弧检具,由多套标准圆弧尺构成,每套标准圆弧尺为标准扇形尺去除三角形部分后的圆弧部分;标准圆弧尺的半径尺寸分别为51.2mm,121.5mm,191.8mm,41.2mm,81.5mm,121.8mm;其中51.2mm,121.5mm,191.8mm用于测量范围0~200mm的卡尺的校准;41.2mm,81.5mm,121.8mm用于测量范围0~150mm的卡尺的校准。本实用新型能够有效校准外圆弧半径卡尺的示值误差,对提高产品质量、规范生产制造有积极意义。

    一种周期目标电磁辐射特性快速仿真方法

    公开(公告)号:CN116992787A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310964022.9

    申请日:2023-08-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种周期目标电磁辐射特性快速仿真方法,该方法包括以下步骤:选取阵列规模及馈源分布,基于新型子全域基函数方法产生数据集;搭建神经网络模型;训练神经网络,保存网络模型;利用训练好的神经网络模型预测目标结构的子全域基函数拓展系数,并完成电磁辐射感应电流分布计算。本发明将训练好的神经网络模型取代原有的缩减矩阵方程,预测子全域基函数的拓展系数,并将其集成到新型子全域基函数方法中,通过将原大规模周期阵列问题简化为3×3小阵列的方式,实现了高效求解。

    一种基于残差神经网络的周期结构电磁散射特性计算方法

    公开(公告)号:CN116522052A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310427461.6

    申请日:2023-04-20

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于残差神经网络的周期结构电磁散射特性计算方法,方法步骤如下:针对平面波多角度入射下周期结构散射问题建立数据集;搭建残差神经网络模型;划分数据集,并对残差神经网络模型进行训练;使用训练好的残差神经网络模型预测多入射角下目标周期阵列中单元的SED基函数拓展系数,然后计算电磁散射感应电流分布。本发明把训练好的残差神经网络模型集成到传统的SED基函数方法中,快速预测多入射角下的SED基函数拓展系数,从而避免缩减阻抗矩阵的建立和求解,极大地提高了仿真的效率。

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