具有关断隔离功能的模拟开关

    公开(公告)号:CN117895932B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410295166.4

    申请日:2024-03-15

    发明人: 王赛 马学龙

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/16

    摘要: 本申请实施例提供了一种具有关断隔离功能的模拟开关,包括开关电路、控制电路和关断隔离电路,所述开关电路中包括PMOS管和NMOS管,所述控制电路和所述关断隔离电路分别连接所述开关电路中的PMOS管的栅极,所述控制电路连接所述开关电路中的NMOS管的栅极,所述关断隔离电路和所述开关电路分别连接输入端IN,所述控制电路和所述关断隔离电路分别连接电源电压VDD,其中,所述控制电路用于控制所述开关电路的打开或关断,在输入信号VIN大于所述电源电压VDD或VDD为0时,输入信号传到开关电路中的PMOS管的栅极,使得PMOS管关闭,以避免输入信号通过PMOS管向输出端OUT泄露,有效解决了现有技术中开关电路中输入信号向输出端泄漏的问题。

    增益误差可配置的仪表放大器及其配置方法

    公开(公告)号:CN111130475B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN201911419714.5

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: H03F3/45 H03G3/30

    摘要: 本发明涉及一种增益误差可配置的仪表放大器及其配置方法,其包括运算放大器U1A、运算放大器U1B、第一电阻串、第二电阻串、连接电阻串、第一开关阵、第二开关阵以及开关控制电路;开关控制电路与第一开关阵、第二开关阵配合,以得到等效电阻RF1、等效电阻RF2以及与等效电阻RF1、等效电阻RF2适配连接的等效增益切换电阻RG,且根据所得到等效电阻RF1、等效电阻RF2以及等效增益切换电阻RG能使得所述仪表放大器的增益误差G能与增益误差目标值匹配。本发明能有效实现仪表放大器增益误差的配置控制,确保仪表放大器增益误差的精度,与现有工艺兼容,安全可靠。

    共模抑制比可配置的仪表放大器及其配置方法

    公开(公告)号:CN111030624B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN201911419753.5

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: H03F3/45

    摘要: 本发明涉及一种共模抑制比可配置的仪表放大器及其配置方法,其通过第一可调电阻体与第二可调电阻体能得到共模抑制第一阻值比,通过第三可调电阻体与第四可调电阻体能得到共模抑制第二阻值比,将共模抑制第一阻值比或共模抑制第二阻值比选定为目标阻值比,则共模抑制第二阻值比或共模抑制第一阻值比形成匹配阻值比;根据所选定的目标阻值比,配置形成匹配阻值比相应可调电阻体的阻值,以使得配置后得到匹配阻值比与目标阻值比的匹配精度与仪表放大器所需的共模抑制比匹配。本发明能有效配置仪表放大器的共模抑制比,同时,也能有效实现仪表放大器增益误差的配置控制,确保仪表放大器增益误差的精度,与现有工艺兼容,安全可靠。

    具有关断隔离功能的模拟开关

    公开(公告)号:CN117895932A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410295166.4

    申请日:2024-03-15

    发明人: 王赛 马学龙

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/16

    摘要: 本申请实施例提供了一种具有关断隔离功能的模拟开关,包括开关电路、控制电路和关断隔离电路,所述开关电路中包括PMOS管和NMOS管,所述控制电路和所述关断隔离电路分别连接所述开关电路中的PMOS管的栅极,所述控制电路连接所述开关电路中的NMOS管的栅极,所述关断隔离电路和所述开关电路分别连接输入端IN,所述控制电路和所述关断隔离电路分别连接电源电压VDD,其中,所述控制电路用于控制所述开关电路的打开或关断,在输入信号VIN大于所述电源电压VDD或VDD为0时,输入信号传到开关电路中的PMOS管的栅极,使得PMOS管关闭,以避免输入信号通过PMOS管向输出端OUT泄露,有效解决了现有技术中开关电路中输入信号向输出端泄漏的问题。

    用于解决CMOS反相器启动过程中嵌套控制的逻辑电路

    公开(公告)号:CN116366034A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310316601.2

    申请日:2023-03-24

    发明人: 马学龙

    IPC分类号: H03K3/3565 H03K3/356

    摘要: 本发明公开用于解决CMOS反相器启动过程中嵌套控制的逻辑电路,属于基本电子电路的技术领域。该逻辑电路包括:施密特触发单元、缓冲单元、比较单元,在参考电压不满足CMOS反相器启动条件时由电源电压使能反相器,而在参考电压满足反相器启动条件时通过比较参考电压和施密特触发单元翻转电压选择反相器使能信号,实现降低CMOS反相器输入高电平的最小值VIH和直通电流ΔICC的目的。

    能同时制备多种通道高精度运算放大器的集成电路

    公开(公告)号:CN111294002A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010226966.2

    申请日:2020-03-27

    IPC分类号: H03F3/45

    摘要: 本发明涉及一种能同时制备多种通道高精度运算放大器的集成电路,将运算放大器单元块整体封装时,通过单元体间振荡器信号处理电路将基准振荡器电路选定为高精度运算放大器的振荡器单元,以使得所述高精度运算放大器根据所选定的振荡器单元的振荡器信号进行所需的运算放大;利用划片道对运算放大器单元块内的运算放大器单元体切割并分别封装时,能同时得到基准单元高精度运算放大器以及非基准单元高精度运算放大器,且基准单元高精度运算放大器根据基准振荡器电路的振荡器信号进行所需的运算放大,非基准单元高精度运算放大器根据非基准振荡器电路的振荡器信号进行所需的运算放大,能实现所需高精度运算放大器的不同通道封装制造,降低封装制造的成本,安全可靠。

    增益误差可配置的仪表放大器及其配置方法

    公开(公告)号:CN111130475A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911419714.5

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: H03F3/45 H03G3/30

    摘要: 本发明涉及一种增益误差可配置的仪表放大器及其配置方法,其包括运算放大器U1A、运算放大器U1B、第一电阻串、第二电阻串、连接电阻串、第一开关阵、第二开关阵以及开关控制电路;开关控制电路与第一开关阵、第二开关阵配合,以得到等效电阻RF1、等效电阻RF2以及与等效电阻RF1、等效电阻RF2适配连接的等效增益切换电阻RG,且根据所得到等效电阻RF1、等效电阻RF2以及等效增益切换电阻RG能使得所述仪表放大器的增益误差G能与增益误差目标值匹配。本发明能有效实现仪表放大器增益误差的配置控制,确保仪表放大器增益误差的精度,与现有工艺兼容,安全可靠。

    快速响应型低压差线性稳压器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110231847A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910644040.2

    申请日:2019-07-17

    IPC分类号: G05F1/56

    摘要: 本发明涉及一种快速响应型低压差线性稳压器,其包括低压差线性稳压器本体;低压差线性稳压器本体包括运算放大器AMP,运算放大器AMP的输出端与功率管MP1的栅极端连接;还包括与所述运算放大器AMP适配连接的瞬态响应增强模块,在低压差线性稳压器本体的负载电流从轻载跳变到重载或从重载跳变到轻载时,通过瞬态响应增强模块与运算放大器AMP配合能增大运算放大器AMP加载到功率管MP1栅极端的驱动电流Isr,以降低低压差线性稳压器本体输出电压由负载突变引起的突变。本发明能增强LDO的瞬态响应,负载在很短时间内跳变时,使得LDO的输出会更加稳定,大大的缓解输出随负载变化而引起的上下突变,提高低压差线性稳压器的稳定性。

    一种RS-485接收器电路
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117674876B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410116377.7

    申请日:2024-01-29

    发明人: 马学龙 王赛

    IPC分类号: H04B1/16 G06F13/40

    摘要: 本发明公开一种RS‑485接收器电路,包括电阻分压模块、迟滞比较器模块和接收器输出模块,其中,电阻分压模块用于接收RS485总线A线输入电压和B线输入电压,基于A线输入电压、B线输入电压以及共模电压产生第一电压、第二电压;迟滞比较器模块用于接收所述第一电压和第二电压,比较第一电压和第二电压的电压差得到电平信号;接收器输出模块用于接收所述电平信号和共模电压,产生与所述电平信号高低电平相反的输出信号并输出。此种接收器电路符合RS‑485标准,解决了上电时常规RS‑485接收器输出信号不稳定的问题。

    基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路

    公开(公告)号:CN117713788A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202410160489.2

    申请日:2024-02-05

    发明人: 王赛 马学龙

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/081

    摘要: 本申请实施例提供了一种基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路,高压开关电路包括薄栅氧化层高压NMOS管和薄栅氧化层高压PMOS管,所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路;所述第一控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压NMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压NMOS管安全开启,所述第二控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压PMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压PMOS管安全开启,通过设置第一控制电路和第二控制电路安全开启所述高压开关电路中的NMOS管和PMOS管,有效解决了现有技术中薄栅氧高压器件容易因器件耐压性不好,进而作为高压开关使用时容易被击穿的问题。