在钛金属表面制备超低弹性模量高抗磨性壳型微结构薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101671808A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910036094.7

    申请日:2009-10-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 一种在钛金属表面制备超低弹性模量高抗磨性壳型微结构薄膜的方法,其特征是包括以下步骤:首先,以钛金属为基材,纯镁为靶材,利用磁控溅射技术以直流方式在经过清洗的钛金属基材表面均匀沉积一层起诱导作用的纯镁中间层薄膜;其次,在中间层薄膜沉积结束后立即利用磁控溅射技术以射频方式在中间层薄膜上沉积碳化硅薄膜,依靠镁的扩散作用使碳化硅薄膜呈亚微米级的多个壳形结构的结合体,从而使最终的表面薄膜的弹簧模量介于7~30GPa之间。本发明很好地解决了兼具超低弹性模量和高摩擦磨损性能薄膜材料的制备难题,并且工艺过程简单,在生物医用等领域具有广泛的应用前景。

    在钛金属表面制备高载摩擦学DLC薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101671811A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910036095.1

    申请日:2009-10-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 一种在钛金属表面制备高载摩擦学DLC(类金刚石)薄膜的方法,其特征是它包括以下步骤:首先,对作为基材的钛金属和靶材的SiC(碳化硅)进行清洗;其次,利用射频磁控溅射法在基材的表面沉积SiC,形成SiC薄膜中间层;最后,利用直流磁控溅射法在SiC薄膜中间层上形成DLC薄膜。本发明的SiC薄膜与基材和DLC薄膜间都具有明显的且呈梯度的元素扩散,很好地解决了DLC薄膜与钛金属间结合状况差的技术难题,大大提高了界面的承载能力;同时本发明通过优化制备工艺使DLC薄膜具有高质量分数的石墨相,大大提高了DLC薄膜自身的承载能力。本发明很好地解决了钛金属表面高载摩擦学DLC薄膜的制备难题,并且工艺简单,在生物医用等领域具有广泛的应用前景。

    在钛金属表面制备高载摩擦学DLC薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101671811B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200910036095.1

    申请日:2009-10-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 一种在钛金属表面制备高载摩擦学DLC(类金刚石)薄膜的方法,其特征是它包括以下步骤:首先,对作为基材的钛金属和靶材的SiC(碳化硅)进行清洗;其次,利用射频磁控溅射法在基材的表面沉积SiC,形成SiC薄膜中间层;最后,利用直流磁控溅射法在SiC薄膜中间层上形成DLC薄膜。本发明的SiC薄膜与基材和DLC薄膜间都具有明显的且呈梯度的元素扩散,很好地解决了DLC薄膜与钛金属间结合状况差的技术难题,大大提高了界面的承载能力;同时本发明通过优化制备工艺使DLC薄膜具有高质量分数的石墨相,大大提高了DLC薄膜自身的承载能力。本发明很好地解决了钛金属表面高载摩擦学DLC薄膜的制备难题,并且工艺简单,在生物医用等领域具有广泛的应用前景。

    在钛金属表面制备超低弹性模量高抗磨性壳型微结构薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101671808B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200910036094.7

    申请日:2009-10-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 一种在钛金属表面制备超低弹性模量高抗磨性壳型微结构薄膜的方法,其特征是包括以下步骤:首先,以钛金属为基材,纯镁为靶材,利用磁控溅射技术以直流方式在经过清洗的钛金属基材表面均匀沉积一层起诱导作用的纯镁中间层薄膜;其次,在中间层薄膜沉积结束后立即利用磁控溅射技术以射频方式在中间层薄膜上沉积碳化硅薄膜,依靠镁的扩散作用使碳化硅薄膜呈亚微米级的多个壳形结构的结合体,从而使最终的表面薄膜的弹簧模量介于7~30GPa之间。本发明很好地解决了兼具超低弹性模量和高摩擦磨损性能薄膜材料的制备难题,并且工艺过程简单,在生物医用等领域具有广泛的应用前景。

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