一种高介电系数聚酰亚胺薄膜

    公开(公告)号:CN105542459B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201610102869.6

    申请日:2016-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种高介电系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。以二酸酐单体和二胺单体缩聚得到的聚酰亚胺为基体,并掺杂富勒烯,青金石粉和纳米蒙脱土,其中富勒烯在薄膜中的重量百分比为1‑3%,青金石粉在薄膜中的重量百分比为0‑3%,纳米蒙脱土在薄膜中的重量百分比为0‑3%。本发明的聚酰亚胺薄膜介电常数在12‑18之间,介电常数高,是优良的制作电容的材料,其机械强度和各项物理指标与普通聚酰亚胺薄膜相同,保持耐高温,高强度,稳定性高,具有优异曲挠性的特点,并且经久耐用,长时间保持高介电常数,制备方法简单,适合大规模化生产应用。

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