一种高介电系数聚酰亚胺薄膜

    公开(公告)号:CN105542459B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201610102869.6

    申请日:2016-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种高介电系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。以二酸酐单体和二胺单体缩聚得到的聚酰亚胺为基体,并掺杂富勒烯,青金石粉和纳米蒙脱土,其中富勒烯在薄膜中的重量百分比为1‑3%,青金石粉在薄膜中的重量百分比为0‑3%,纳米蒙脱土在薄膜中的重量百分比为0‑3%。本发明的聚酰亚胺薄膜介电常数在12‑18之间,介电常数高,是优良的制作电容的材料,其机械强度和各项物理指标与普通聚酰亚胺薄膜相同,保持耐高温,高强度,稳定性高,具有优异曲挠性的特点,并且经久耐用,长时间保持高介电常数,制备方法简单,适合大规模化生产应用。

    一种有序石墨烯导电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103804706B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201410053759.6

    申请日:2014-02-17

    Abstract: 本发明公开了一种有序石墨烯导电聚酰亚胺薄膜及其制备方法,该有序石墨烯导电聚酰亚胺薄膜包括:聚酰亚胺基层、导电覆盖圈、有序石墨烯外层;该有序石墨烯导电聚酰亚胺薄膜的制备方法包括:通过聚酰亚胺液态化、固化的聚酰亚胺薄膜、预分散的导电涂料、初次包裹、亚胺化、制成导电聚酰亚胺薄膜、研磨、生成氧化石墨烯胶状悬浮液、二次包裹、出品,制备有序石墨烯导电聚酰亚胺薄膜。本发明利用氧化石墨烯胶状悬浮液对导电聚酰亚胺薄膜进行二次导电涂液包裹的加工处理,使导电性大大增强;采用低廉的原料制造,降低了生产成本;制备方法简单,提高了生产效率。

    一种聚酰亚胺薄膜制备装置及制品

    公开(公告)号:CN102796273B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201210317156.3

    申请日:2012-08-31

    Abstract: 本发明公开了属于薄膜制备设备技术领域的一种聚酰亚胺薄膜制备装置及制品。该聚酰亚胺薄膜制备装置的结构为:无端支持体为圆形,其正上方设置流延嘴,其外侧设有外罩,外罩一侧设有剥离辊,无端支持体的内侧设有加热板,剥离辊上的湿膜通过轴连入亚胺化炉,亚胺化炉外设置收卷装置。本发明的装置结构简单,由传统的两个鼓精简为一个无端支持体,无端支持体上的原料受热均匀,溶剂易回收,能源利用率高,制成的聚酰亚胺薄膜均匀,耐热性和其他物理特性优于传统的聚酰亚胺薄膜。

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