公开(公告)号：CN117293199A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311254495.6

申请日：2023-09-26

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  巩标 ,  谢峰 ,  谷燕 ,  钱维莹 ,  刘玉申 ,  陆乃彦 ,  张秀梅 ,  张向阳

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种非对称叉指结构的自驱动GaN基紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、非故意掺杂GaN层、低温掺碳GaN层、GaN吸收层、AlN间隔层、AlGaN势垒层、GaN盖帽层和金属电极层。本发明的非对称叉指结构利用AlGaN/GaN异质结构中的极化效应，使得金属电极间的能带形成不对称的分布特征。器件在无偏置电压情况下也对能对紫外信号进行探测，即器件实现了自驱动功能。所述金属电极间的能带分布具有强的不对称性，这极有利于载流子的输运，从而解决了载流子输运效率低的问题，使器件表现出高的光电流和高响应。