-
公开(公告)号：CN104357906A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410677422.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 江南大学
CPC classification number: C30B29/20 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003
Abstract: 本发明涉及一种生长装置，尤其是一种多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，属于晶体制备的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，包括炉体以及位于所述炉体外的真空装置；所述炉体内设有保温屏，所述保温屏内设有单晶生长坩埚机构，所述单晶生长坩埚机构包括至少两个坩埚体，所述单晶生长坩埚机构内的坩埚体相互独立。本发明炉体内设置至少两个坩埚体，通过真空装置、加热装置的配合能一次获得至少二个蓝宝石单晶，在提高生长速率的同时提高了晶体的产量；长方体型晶体便于后续加工切割，节约能耗，降低成本，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN204462899U
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201520126446.9
申请日：2015-03-04
Applicant: 江南大学
Abstract: 本实用新型涉及一种温度控制装置，尤其是一种与红外测温仪控温方式互补的简易温度控制装置，属于晶体生长温度控制的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述与红外测温仪控温方式互补的简易温度控制装置，包括用于将直流可编程电子负载与直流稳压电源连接形成稳定回路的转接盒，所述转接盒内还包括用于将回路电流呈正线性关系输出的上升端接口以及用于将回路电流呈负线性关系输出的下降端接口，转接盒通过上升端接口或下降端接口与晶体炉电源控制器连接。本实用新型结构紧凑，能与红外测温仪配合实现对晶体生长温度的有效控制，能避免安装接触式温度传感器对晶体炉真空度的影响，适应性好，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN204281896U
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201420709199.0
申请日：2014-11-21
Applicant: 江南大学
Abstract: 本实用新型涉及一种生长装置，尤其是一种多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，属于晶体制备的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，包括炉体以及位于所述炉体外的真空装置；所述炉体内设有保温屏，所述保温屏内设有单晶生长坩埚机构，所述单晶生长坩埚机构包括至少两个坩埚体，所述单晶生长坩埚机构内的坩埚体相互独立。本实用新型炉体内设置至少两个坩埚体，通过真空装置、加热装置的配合能一次获得至少二个蓝宝石单晶，在提高生长速率的同时提高了晶体的产量；长方体型晶体便于后续加工切割，节约能耗，降低成本，安全可靠。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.01 seconds)
