-
公开(公告)号:CN107129284A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710363428.6
申请日:2017-05-22
申请人: 汕头高新区松田实业有限公司 , 汕头保税区松田电子科技有限公司
IPC分类号: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , C01G23/00 , C01G29/00 , C01G53/00 , G01K7/22
摘要: 一种高性能多温区NTC热敏电阻器介质材料,其特征在于由下述重量配比的原料制成:Al2O3 25‑43%,WO3 4‑12%,MnO2 13‑22%,Ni2O3 16‑30%,Fe2O3 5‑15%,BiLiTiSiO6 0.5‑5%,(Li1/2La1/2)TiO3 0.3‑5%,LaNiO3 0.2‑3%。本发明还提供上述高性能多温区NTC热敏电阻器介质材料的一种制备方法。本发明的NTC热敏电阻器介质材料可在宽温区(如25‑1130℃)使用,在不同温区有不同的材料常数B值,并且在高温区具有高材料常数B值。本发明的高性能多温区NTC热敏电阻器介质材料用于制作NTC热敏传感器,制得的NTC热敏电阻可在宽温区(如25‑1130℃)使用,且在高温下使用时灵敏度高。
-
公开(公告)号:CN118707237A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202411200497.1
申请日:2024-08-29
申请人: 汕头保税区松田电子科技有限公司
摘要: 本申请涉及电变量测量技术领域,具体涉及一种压敏电阻器的自动化测试方法及系统,该方法包括:在不同冲击电压下采集压敏电阻器两端的响应电压、电流及压敏电阻器的温度;基于压敏电阻器在各时间段的温度变化趋势、温度极差以及温度数据的平均水平,确定温度影响系数;基于各时间段的压降区间内的响应电压与响应电压拟合后的拟合值之间的相关性,以及压降区间内响应电压的变化波动情况,结合压降区间内响应电流的峰度及所述温度影响系数,确定抗电涌指数;基于不同冲击电压下压敏电阻器的响应电压峰值差异,以及不同冲击电压下压敏电阻器的抗电涌指数的差异获取冲击响应一致性,对压敏电阻器进行测试。本申请提高了压敏电阻器的检测精度。
-
公开(公告)号:CN118707237B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411200497.1
申请日:2024-08-29
申请人: 汕头保税区松田电子科技有限公司
摘要: 本申请涉及电变量测量技术领域,具体涉及一种压敏电阻器的自动化测试方法及系统,该方法包括:在不同冲击电压下采集压敏电阻器两端的响应电压、电流及压敏电阻器的温度;基于压敏电阻器在各时间段的温度变化趋势、温度极差以及温度数据的平均水平,确定温度影响系数;基于各时间段的压降区间内的响应电压与响应电压拟合后的拟合值之间的相关性,以及压降区间内响应电压的变化波动情况,结合压降区间内响应电流的峰度及所述温度影响系数,确定抗电涌指数;基于不同冲击电压下压敏电阻器的响应电压峰值差异,以及不同冲击电压下压敏电阻器的抗电涌指数的差异获取冲击响应一致性,对压敏电阻器进行测试。本申请提高了压敏电阻器的检测精度。
-
公开(公告)号:CN118005376A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410031680.7
申请日:2024-01-09
申请人: 汕头保税区松田电子科技有限公司
IPC分类号: C04B35/01 , C04B35/622 , H01C7/04
摘要: 一种高B值低电阻率NTC热敏电阻介质材料,由下述重量配比的原料制成:Mn3O4 80‑92%,Ni2O3 1‑5%,CuO 2‑8%,Al2O3 0.5‑2%,ZnO 0.5‑1%,LiLaGeO4 0.4‑3%,NaAlSi2O6 0.2‑4%,TiO2 0.1‑0.8%。本发明的高B值低电阻率NTC热敏电阻介质材料具有如下优点:(1)材料常数B值高,B值在‑25‑200℃为4810‑5625K;(2)制得的NTC热敏电阻灵敏度高,稳定性好,具有好的耐电流冲击能力;在最大稳态电流后,产品电阻率变化小;延时电阻变化率比较小;适合温度的精确测量和精确控制等方面的应用;(3)电阻率低,室温电阻率(ρ25℃)在8.1Ω·cm~9.4Ω·cm范围内;(4)NTC热敏陶瓷的烧结温度较低,为1130‑1200℃。
-
公开(公告)号:CN118795266A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202411289789.7
申请日:2024-09-14
申请人: 汕头保税区松田电子科技有限公司
IPC分类号: G01R31/00
摘要: 本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种压敏电阻器的老化性能测试方法;包括:获取压敏电阻器在一定时间内受电流冲击的每次功耗数据和受电流冲击的数量;基于每次功耗数据、受电流冲击的数量和预设指数阈值,获取每次遭受冲击电流的应对能力系数;基于每次遭受冲击电流的应对能力系数、预设应对能力系数阈值、在一定时间内受电流冲击的每次功耗数据和受电流冲击的数量,获取压敏电阻器的性能老化指数;基于压敏电阻器的性能老化指数、每次遭受冲击电流的应对能力系数和受冲击电流的次数,对压敏电阻器进行检测,得到检测结果。本发明的目的是解决现有的测试方法存在滞后性,对压敏电阻器检测的准确性低的技术问题。
-
公开(公告)号:CN115020051A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202210723054.5
申请日:2022-06-24
申请人: 汕头保税区松田电子科技有限公司
IPC分类号: H01C7/112 , H01C17/30 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 一种氧化锌压敏电阻器介质材料,由ZnO、Sb2O3、Bi2O3、含Mn化合物、含Co化合物、Ni2O3、In2O3、银玻璃粉和Al(NO3)3.9H2O制成;Sb2O3的摩尔数是ZnO的0.8‑1.05%,Bi2O3的摩尔数是ZnO的0.55‑0.70%,含Mn化合物中Mn离子的摩尔数是ZnO的0.52‑0.84%,含Co化合物中Co离子的摩尔数是ZnO的0.90‑1.38%,Ni2O3的摩尔数是ZnO的0.20‑0.40%,In2O3的摩尔数是ZnO的0.007‑0.010%;银玻璃粉的重量是ZnO的0.08‑0.1%,Al(NO3)3.9H2O的重量是ZnO的0.025‑0.030%。本发明还提供上述氧化锌压敏电阻器介质材料的一种制备方法。本发明的氧化锌压敏电阻器介质材料脉冲冲击耐受能力良好,大电流下残压低,且可采用中低温烧结,能耗较低。
-
公开(公告)号:CN107129284B
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201710363428.6
申请日:2017-05-22
申请人: 汕头保税区松田电子科技有限公司
IPC分类号: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , C01G23/00 , C01G29/00 , C01G53/00 , G01K7/22
摘要: 一种高性能多温区NTC热敏电阻器介质材料,其特征在于由下述重量配比的原料制成:Al2O325‑43%,WO34‑12%,MnO213‑22%,Ni2O316‑30%,Fe2O35‑15%,BiLiTiSiO60.5‑5%,(Li1/2La1/2)TiO30.3‑5%,LaNiO30.2‑3%。本发明还提供上述高性能多温区NTC热敏电阻器介质材料的一种制备方法。本发明的NTC热敏电阻器介质材料可在宽温区(如25‑1130℃)使用,在不同温区有不同的材料常数B值,并且在高温区具有高材料常数B值。本发明的高性能多温区NTC热敏电阻器介质材料用于制作NTC热敏传感器,制得的NTC热敏电阻可在宽温区(如25‑1130℃)使用,且在高温下使用时灵敏度高。
-
公开(公告)号:CN105272208B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201510758001.7
申请日:2015-11-07
申请人: 汕头高新区松田实业有限公司
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 一种氧化锌压敏电阻器介质材料,按摩尔份数计,其组成为:主成分ZnO 100份,添加剂成分Sb2O30.05-1.3份、Co2O30.05-1.3份、Bi2O30.05-1.3份、MnO20.05-1.3份、Cr2O30.05-1.3份、SnO20.05-1.3份、SiO20.05-1.3份、Ni2O30.05-1.3份、硼酸0.05-0.6份、AgNO30.05-0.6份、Sm2O30.05-0.6份。本发明还提供上述氧化锌压敏电阻器介质材料的一种制备方法。本发明的氧化锌压敏电阻器介质材料脉冲冲击耐受能力强,可望应用于电力避雷器或其它电力电子线路的防雷过压保护;本发明的氧化锌压敏电阻器介质材料可在中低温下烧结,制作工艺简单,大大的降低了氧化锌压敏电阻材料成本,满足了节能环保的要求。
-
公开(公告)号:CN104609854B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201510059755.3
申请日:2015-02-05
申请人: 汕头高新区松田实业有限公司
IPC分类号: H01G4/12 , C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质,其特征在于由下述重量百分比的原料制成:BaTiO3 54‑91%,MgSnO3 2‑13%,SrZrO3 2‑15%,Nb2O5 0.05‑1%,CeO2 0.03‑1.0%,ZnO 0.1‑1.0%,Co2O3 0.03‑1.0%,BiScO3 2‑15%。本发明还提供上述高介电常数低损耗陶瓷电容器介质的一种制备方法。本发明的高介电常数低损耗陶瓷电容器介质介电常数高、耐电压高、介质损耗低,在制备和使用过程中对环境无污染,并且能降低高介低损耗陶瓷电容器的成本,适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。
-
公开(公告)号:CN104150896B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201410389495.1
申请日:2014-08-08
申请人: 汕头高新区松田实业有限公司
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种高通流小型化氧化锌压敏电阻器介质材料及其制备方法,包括主成分、第一副成分和第二副成分,各组成的含量如下:主成分包括ZnO,ZnO的含量为100mol;第一副成分包括Sb2O3、Co2O3、Bi2O3、MnO2、Cr2O3、Ni2O3,各组分的含量均为0.05~1.3mol;第二副成分包括Al2O3、硼酸、AgNO3,各组分的含量均为0.05~0.6mol。这种高通流小型化氧化锌压敏电阻介质材料所制成的压敏电阻,尺寸不仅更小,而且大幅度提高了脉冲冲击耐受能力;获得的高通流小型化氧化锌压敏电阻介质材料非线性系数大于50;高通流小型化氧化锌压敏电阻陶瓷材料脉冲冲击耐受能力强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-