公开(公告)号：CN115915906A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310098689.5

申请日：2017-02-03

申请人： 汉阳大学校产学协力团

发明人： 朴在勤 ,  李斗荣 ,  李承垠

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

摘要： 本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极，在磁隧道结和覆盖层之间形成扩散阻挡层。并且，本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极。种子层由使合成交换半磁性层向面心立方结构(111)方向形成的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，磁隧道结包括形成于两个自由层之间的插入层，分离层、插入层及覆盖层的至少一个由体心立方结构的物质形成。

公开(公告)号：CN107735874B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201680016516.2

申请日：2016-02-02

申请人： 汉阳大学校产学协力团

发明人： 朴在勤 ,  李承垠

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

摘要： 本发明提供存储器件，上述存储器件包括磁隧道结，上述磁隧道结包括自由层、隧道结及固定层，上述自由层呈进行相互不同方向的磁化的至少两层。

公开(公告)号：CN109155360A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780022500.7

申请日：2017-02-03

申请人： 汉阳大学校产学协力团

发明人： 朴在勤 ,  李斗荣 ,  李承垠

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极，在上述磁隧道结和覆盖层之间形成扩散阻挡层。并且，本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极。上述种子层由使上述合成交换半磁性层向面心立方结构(111)方向形成的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，上述磁隧道结包括形成于两个自由层之间的插入层，上述分离层、插入层及覆盖层的至少一个由体心立方结构的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，上述合成交换半磁性层分别包括一个磁性层及非磁性层。

公开(公告)号：CN107735874A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680016516.2

申请日：2016-02-02

申请人： 汉阳大学校产学协力团

发明人： 朴在勤 ,  李承垠

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

摘要： 本发明提供存储器件，上述存储器件包括磁隧道结，上述磁隧道结包括自由层、隧道结及固定层，上述自由层呈进行相互不同方向的磁化的至少两层。