公开(公告)号：CN105229196A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480029328.4

申请日：2014-05-21

Applicant: 汉阳大学校产学协力团

Inventor： 朴浩范 ,  金翰秀 ,  尹熙煜 ,  朴仙美 ,  李民镛

IPC: C23C16/22 ,  C23C28/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B1/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01M4/9075 ,  H01M4/926 ,  H01M4/96

Abstract: 本发明涉及：大表面积单晶单层石墨烯膜，其中，石墨烯层在衬底上或在没有衬底的情况下在仅以(111)晶面为取向的单晶金属催化剂层上形成；和用于通过金属前体的热处理和化学气相沉积制备仅以(111)晶面为取向的大表面积单晶单层石墨烯的方法。根据本发明，仅以(111)晶面为取向的单晶金属催化剂层可以在衬底上或甚至在没有衬底的情况下以箔、平板、块或管的各种形式来形成，和，通过制备其中石墨烯层在催化剂层上形成的大表面积单晶单层石墨烯，可以以批量生产的方式使高品质的大表面积石墨烯薄膜商品化，并且可以使用本发明作为透明电极材料和用于显示元件、半导体元件、分离膜、燃料电池、太阳能电池或各种类型的传感器的材料。