一种具有铝柱的铝碳化硅板的制备方法和装置及其制得的产品

    公开(公告)号:CN106552929B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201510638985.5

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种具有铝柱的铝碳化硅板的制备方法,还涉及该方法制备的具有铝柱的铝碳化硅板,以及一种用于制备具有铝柱的铝碳化硅板的装置。本发明的方法和设备制备的具有铝柱的铝碳化硅板产品能够在保证较高的力学、密度、导热系数、热膨胀系数以及铝层厚度等性能参数的情况下提高铝柱与铝碳化硅板的结合力。并且本发明的方法和装置不需要用到高压容器设备,所用设备简单易操作,型砂使用寿命较石墨模具寿命大幅提高,且可以重复回收利用,生产效率较现有技术方案也大幅提高。

    PTC加热组件及汽车除霜器

    公开(公告)号:CN104582020B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201310499319.9

    申请日:2013-10-22

    Abstract: 为解决现有PTC加热器由于在金属电极片和PTC陶瓷片之间设置导电胶层,导致使用过程中性能不断衰减,绝缘阻抗增大,接触不良概率提高,击穿风险增大的问题,本发明实施例提供了一种PTC加热组件及汽车除霜器,PTC加热组件包括加热芯、绝缘层及金属管;绝缘层包裹加热芯后穿设在金属管内;加热芯包括两金属电极片及置于两金属电极片之间的若干PTC陶瓷片;两金属电极片上对应PTC陶瓷片均设有若干限位槽,PTC陶瓷片嵌入两金属电极片上对应设置的限位槽内。本发明提供的PTC加热组件消除了导电胶层带来的不利影响,改善了其导热效果。并且改善了PTC加热组件的绝缘耐压性能,PTC加热组件更安全。成本更低。

    多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法

    公开(公告)号:CN106554212B

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201510638774.1

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明涉及金属陶瓷复合材料领域,公开了一种多孔碳化硅预制体和Al‑SiC复合材料及它们的制备方法。其中,该多孔碳化硅预制体包括SiC基体以及分散在所述SiC基体比表面上的Si3N4相,以多孔碳化硅预制体的总重量100wt%为基准,所述多孔碳化硅预制体中Si3N4相的含量为0.6‑2.0重量%。在本发明中通过在多孔碳化硅预制体中形成Si3N4相,在使用形成有Si3N4相的这种碳化硅坯体通过真空压力浸渗工艺与铝复合时,Si3N4相会优选与AL金属反应生成AlN相,减少了Al4C3相的生成,进而有利于提高所制备的Al‑SiC复合材料的导热性能和力学性能。

    多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法

    公开(公告)号:CN106554212A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510638774.1

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明涉及金属陶瓷复合材料领域,公开了一种多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法。其中,该多孔碳化硅预制体包括SiC基体以及分散在所述SiC基体比表面上的Si3N4相,以多孔碳化硅预制体的总重量100wt%为基准,所述多孔碳化硅预制体中Si3N4相的含量为0.6-2.0重量%。在本发明中通过在多孔碳化硅预制体中形成Si3N4相,在使用形成有Si3N4相的这种碳化硅坯体通过真空压力浸渗工艺与铝复合时,Si3N4相会优选与AL金属反应生成AlN相,减少了Al4C3相的生成,进而有利于提高所制备的Al-SiC复合材料的导热性能和力学性能。

    一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件

    公开(公告)号:CN109216303B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201710513394.4

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明涉及芯片散热器领域,具体涉及一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件。该芯片散热器包括:依次层压设置的上端盖、共烧层压散热结构和下端盖,所述下端盖上设置有冷却液入口和冷却液出口,所述共烧层压散热结构的材质为无氧铜,所述上端盖和下端盖的材质为无氧铜和/或含铜的合金。还涉及芯片散热器的制备方法和一种DBC基板组件,该基板组件包括上述任意结构的芯片散热器。本发明散热器的抗冷热冲击性能、导热性、以及芯片散热器的密封性均较好,且本发明的芯片散热器的成本较低,制备过程易于操作和实现。

    一种具有铝柱的铝碳化硅板的制备方法和装置及其制得的产品

    公开(公告)号:CN106552929A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510638985.5

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种具有铝柱的铝碳化硅板的制备方法,还涉及该方法制备的具有铝柱的铝碳化硅板,以及一种用于制备具有铝柱的铝碳化硅板的装置。本发明的方法和设备制备的具有铝柱的铝碳化硅板产品能够在保证较高的力学、密度、导热系数、热膨胀系数以及铝层厚度等性能参数的情况下提高铝柱与铝碳化硅板的结合力。并且本发明的方法和装置不需要用到高压容器设备,所用设备简单易操作,型砂使用寿命较石墨磨具寿命大幅提高,且可以重复回收利用,生产效率较现有技术方案也大幅提高。

    PTC加热组件及汽车除霜器

    公开(公告)号:CN104582020A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201310499319.9

    申请日:2013-10-22

    Abstract: 为解决现有PTC加热器由于在金属电极片和PTC陶瓷片之间设置导电胶层,导致使用过程中性能不断衰减,绝缘阻抗增大,接触不良概率提高,击穿风险增大的问题,本发明实施例提供了一种PTC加热组件及汽车除霜器,PTC加热组件包括加热芯、绝缘层及金属管;绝缘层包裹加热芯后穿设在金属管内;加热芯包括两金属电极片及置于两金属电极片之间的若干PTC陶瓷片;两金属电极片上对应PTC陶瓷片均设有若干限位槽,PTC陶瓷片嵌入两金属电极片上对应设置的限位槽内。本发明提供的PTC加热组件消除了导电胶层带来的不利影响,改善了其导热效果。并且改善了PTC加热组件的绝缘耐压性能,PTC加热组件更安全。成本更低。

    一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件

    公开(公告)号:CN109216303A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710513394.4

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明涉及芯片散热器领域,具体涉及一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件。该芯片散热器包括:依次层压设置的上端盖、共烧层压散热结构和下端盖,所述下端盖上设置有冷却液入口和冷却液出口,所述共烧层压散热结构的材质为无氧铜,所述上端盖和下端盖的材质为无氧铜和/或含铜的合金。还涉及芯片散热器的制备方法和一种DBC基板组件,该基板组件包括上述任意结构的芯片散热器。本发明散热器的抗冷热冲击性能、导热性、以及芯片散热器的密封性均较好,且本发明的芯片散热器的成本较低,制备过程易于操作和实现。

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