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公开(公告)号：CN109133915B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811004852.2
申请日：2018-08-30
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/475
摘要： 本发明涉及一种高储能钛酸钡基介质材料及其制备方法：该材料的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBi(Mg1/2Zr1/2)O3，其中x=0.02~0.20，包括以下步骤：（1）以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO、ZrO2为原料，根据化学式剂量比配料；（2）使用湿法球磨将原料球磨混合均匀，烘干，在马弗炉中预烧得到陶瓷粉体；（3）将预烧粉体球磨、烘干、造粒、压制成陶瓷生坯；（4）将生坯排胶、烧结得到陶瓷样品。该方法制备工艺简单，成本低，无铅无污染，所制备的储能介质陶瓷材料具有高放电储能密度0.31~1.45J/cm3和较高的击穿强度82~191kV/cm。
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公开(公告)号：CN109133915A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811004852.2
申请日：2018-08-30
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/475
CPC分类号： C04B35/475 , C04B2235/3206 , C04B2235/3248 , C04B2235/3298
摘要： 本发明涉及一种高储能钛酸钡基介质材料及其制备方法：该材料的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBi(Mg1/2Zr1/2)O3，其中x=0.02~0.20，包括以下步骤：（1）以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO、ZrO2为原料，根据化学式剂量比配料；（2）使用湿法球磨将原料球磨混合均匀，烘干，在马弗炉中预烧得到陶瓷粉体；（3）将预烧粉体球磨、烘干、造粒、压制成陶瓷生坯；（4）将生坯排胶、烧结得到陶瓷样品。该方法制备工艺简单，成本低，无铅无污染，所制备的储能介质陶瓷材料具有高放电储能密度0.31~1.45J/cm3和较高的击穿强度82~191kV/cm。
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公开(公告)号：CN111825447B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010641240.5
申请日：2020-07-06
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/624
摘要： 本发明提供一种高储能密度钛酸钡基介质薄膜及其制备方法。该介质薄膜的化学式为xBi(Zn1/2Zr1/2)O3‑(1‑x)BaTiO3‑yMnO，其中x=0.02~0.08,y=0~0.05；其制备方法包括以下步骤：（1）以C12H28O4Zr，Mn(CH3COO)2·4H2O，(CH3COO)2Ba，(CH3COO)2Zn·2H2O，C16H36O4Ti，Bi(NO3)3·5H2O，为原料，在混合溶剂中溶解，得到澄清透明且稳定存在的前驱体溶液；（2）将制备的稳定前驱体溶液静置陈化得到充分水解聚合的可以用于旋涂的溶胶；（3）采用旋涂的方法将溶胶涂覆于基板上，得到湿凝胶膜；（4）将所得湿凝胶膜在加热台进行热解，在快速退火炉对薄膜进行快速退火处理，除掉有机物，得到结晶或非晶结构中存在少量结晶微区的无机铁电薄膜。该方法制备工艺简单，成本低，无重金属，所制备的储能介质薄膜具有高放电储能密度10~84.4 J/cm3和较高的耐电压强度1000~5000 kV/cm。
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公开(公告)号：CN111825447A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010641240.5
申请日：2020-07-06
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/624
摘要： 本发明提供一种高储能密度钛酸钡基介质薄膜及其制备方法。该介质薄膜的化学式为xBi(Zn1/2Zr1/2)O3-(1-x)BaTiO3-yMnO，其中x=0.02~0.08,y=0~0.05；其制备方法包括以下步骤：（1）以C12H28O4Zr，Mn(CH3COO)2·4H2O，(CH3COO)2Ba，(CH3COO)2Zn·2H2O，C16H36O4Ti，Bi(NO3)3·5H2O，为原料，在混合溶剂中溶解，得到澄清透明且稳定存在的前驱体溶液；（2）将制备的稳定前驱体溶液静置陈化得到充分水解聚合的可以用于旋涂的溶胶；（3）采用旋涂的方法将溶胶涂覆于基板上，得到湿凝胶膜；（4）将所得湿凝胶膜在加热台进行热解，在快速退火炉对薄膜进行快速退火处理，除掉有机物，得到结晶或非晶结构中存在少量结晶微区的无机铁电薄膜。该方法制备工艺简单，成本低，无重金属，所制备的储能介质薄膜具有高放电储能密度10~84.4 J/cm3和较高的耐电压强度1000~5000 kV/cm。
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