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公开(公告)号：CN120057918A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510215817.9
申请日：2025-02-26
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B32/28 , C01B32/963
Abstract: 本发明提供了一种用熔盐法在金刚石表面低温生成碳化硅层的方法，通过以Mg2Si为硅源，在熔盐体系中低温生成均匀的碳化硅层，有效解决了现有技术中反应温度高、设备要求高的问题。该方法生成的碳化硅层均匀致密，显著改善了以金刚石为增强相复合材料的界面结合性，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN119178363B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411676402.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 武汉理工大学
IPC: F42D5/05 , F41H5/007 , F41H5/04 , F16F1/373 , B32B3/12 , B32B3/08 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B27/08
Abstract: 本发明提出了一种抗冲击高强韧层状梯度结构，属于新材料领域，包括两个第一硬相层间隔设置；两个软相层夹设在两个第一硬相层层之间且间隔设置；第二硬相层夹设在两个软相层之间；第一硬相层包括软相结构及硬相结构，软相结构为网状机构且表面开设有若干网孔，硬相结构填充满各网孔。本发明采用仿珍珠层结构结合层间三明治结构，在传统仿珍珠层结构的层间软相间引入一层硬相，使得砖块层间形成“软‑硬‑软”的三明治结构，“砖‑泥”结构中硬相砖块提供了强度，软相灰泥具有优异的变形能力，硬相与软相排布方式可以将应力均匀分布，避免了应力集中，层间三明治结构引入了层间“软‑硬‑软”的协同模式，保证了结构整体的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN119710424A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411914701.6
申请日：2024-12-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化物增强CoCrFeNi高熵合金的制备方法，属于金属材料及加工技术领域，本发明添加硬质TiC，通过高温熔炼、轧制和退火处理制得由合金基体相和多相多尺度碳化物组成的高熵合金。通过轧制和退火处理使基体相发生动态再结晶，并析出细小弥散的碳化物颗粒相，在细晶强化和碳化物的第二相强化作用下提高合金的强韧性综合性能，制获强韧性优异的碳化物增强CoCrFeNi高熵合金，有望应用在航天航空结构件中。
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公开(公告)号：CN117900489A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410004890.7
申请日：2024-01-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F7/02 , G03B15/03 , B22F3/14 , B22F3/105 , B22F3/10 , B22F1/107 , C23F1/28 , C23F1/26 , C23F1/44 , B22F3/22 , B22F3/24 , B22F1/105 , B22F3/11
Abstract: 本发明涉及一种梯度多孔钨及其制备方法，所述梯度多孔钨由数层多孔钨材料叠层复合得到，各层多孔钨材料孔隙分布均匀，孔隙率为25～81％，且从上至下各层多孔钨材料的孔隙率呈梯度连续变化。本发明提供的梯度多孔钨材料的孔隙率在较宽范围内可调，各层孔隙有序梯度变化且孔隙率控制精度高，在热沉材料、面向等离子体材料和高能闪光照相材料领域具有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN113881233A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111180454.8
申请日：2021-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及硅橡胶复合材料技术领域，具体涉及可陶瓷化硅橡胶复合材料及其制备方法和应用。本发明公开的可陶瓷化硅橡胶复合材料的原料包括，硅橡胶、氧化硼和/或硼酸、二氧化硅、氧化铝，其中，氧化硼和/或硼酸与硅橡胶的质量比为16～30：45～55。本发明的可陶瓷化硅橡胶复合材料在高温条件下具有良好的尺寸稳定性和力学性能；烧蚀产物在500～1000℃下能支撑两倍自重的载荷，在室温下残余强度优异，弯曲强度≥2.69MPa；在各温度下都具有优异的电绝缘性能，在500～1000℃烧蚀后体积电阻率≥8.7×1011Ω·cm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112390977A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910764660.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种TPX基轻质高强微孔泡沫材料及其制备方法，属于泡沫材料制备技术领域。该材料泡孔孔径为0.3‑30μm，且泡孔分布均匀，同时兼具轻质和强度高的优点。其制备：(1):TPX加热熔融后在30‑60MPa的压力下压制成型得TPX聚合物片材；(2)：将上述TPX聚合物片材放入高压反应釜中，在高温高压条件下饱和一定时间，然后快速泄压，再将其骤冷至室温，即得TPX基轻质高强微孔泡沫材料。该制备方法工艺简单，易操作，有较好的可设计性，所制备的TPX基轻质高强微孔泡沫材料泡孔孔径小、密度低、力学性能较高，可广泛应用于医疗器械、电子电器、包装材料、薄膜材料等要求轻质、高强的领域。
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公开(公告)号：CN111020329B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201911155317.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于W‑Fe‑C体系腐蚀法制备多孔钨材料的方法，具体步骤如下：1)采用低温烧结形成复合块体：将钨粉、铁粉以及碳粉球磨均匀得到混合粉末，将所得混合粉末装入石墨磨具中，采用放电等离子烧结得到钨铁块体；2)利用化学腐蚀法腐蚀基体材料中的铁：将钨铁块体放入过量的稀硫酸溶液中，并将稀硫酸溶液加热至40～80℃，获得具有微米孔径的多孔钨生坯；3)采用高温烧结制备多孔钨：将步骤3)所得多孔钨生坯进行真空无压烧结得到多孔钨材料。本发明提供的多孔钨材料孔分布均匀，结构一致，没有明显的缺陷，孔隙率为25.8～78％，孔径为1～10μm，用途广泛。
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公开(公告)号：CN111020329A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155317.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于W-Fe-C体系腐蚀法制备多孔钨材料的方法，具体步骤如下：1)采用低温烧结形成复合块体：将钨粉、铁粉以及碳粉球磨均匀得到混合粉末，将所得混合粉末装入石墨磨具中，采用放电等离子烧结得到钨铁块体；2)利用化学腐蚀法腐蚀基体材料中的铁：将钨铁块体放入过量的稀硫酸溶液中，并将稀硫酸溶液加热至40～80℃，获得具有微米孔径的多孔钨生坯；3)采用高温烧结制备多孔钨：将步骤3)所得多孔钨生坯进行真空无压烧结得到多孔钨材料。本发明提供的多孔钨材料孔分布均匀，结构一致，没有明显的缺陷，孔隙率为25.8～78％，孔径为1～10μm，用途广泛。
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公开(公告)号：CN109207829A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811185685.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高熵合金与多组元碳化物共晶型复合材料及其原位制备方法。采用真空电弧熔炼的方法，将Re、Mo、Nb、W纯金属粉体与TaC粉体进行高温熔炼，原位生成高熵合金相与多组元碳化物相形成共晶型复合材料。该复合材料由枝晶初生晶和细小规则的层片状共晶组织组成，相界面干净且结合强度高；表现出良好的室温强韧性综合性能，屈服强度高于1.1GPa，平均极限抗压强度高于1.8GPa，室温塑性应变高于5％，硬度高于5.8GPa，可用于核电技术、国防军工等领域。
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公开(公告)号：CN106191479B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610519550.3
申请日：2016-07-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钨合金的非自耗电弧熔炼制备方法，其包括钨粉的初步净化、冷压成型及预制块体制备、抽真空、通氩气和电弧熔炼步骤。本发明与现有技术相比，工艺简单、效率高、成本低，且有提纯效果，可制得纯度高，无明显气孔，致密度高(98.1％～99.2％)的超高比重钨合金(钨比重含量达99.7％～99.9％，比重最高可达19.11)；可应用于电子工业、核工业、航空航天及动高压物理等领域。
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