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公开(公告)号:CN105693286A
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201610072176.7
申请日:2016-02-02
申请人: 武汉梦华洁膜科技有限责任公司
CPC分类号: C04B41/5066 , B01D67/0069 , B01D69/12 , B01D71/02 , B01D2323/46 , C04B41/009 , C04B41/87 , C04B35/565 , C04B41/4539 , C04B41/4519
摘要: 一种无机纳滤膜及其制备方法,所述无机纳滤膜包括第一碳化硅层和SiC多孔基体,所述第一碳化硅层是由Si3N4胶体在所述SiC多孔基体的表面高温烧结后形成;所述Si3N4胶体是以Si3N4粉末作为反应源的胶体。本发明提出一种孔径在2-5nm、粘结强度大于5MPa的无机纳滤膜,且其膜的颗粒形貌圆润规则,分离效率大大的提高,所述无机纳滤膜的制备依次通过胶体涂覆、干燥、一次烧、真空保温以及二次烧结获得,所制的纳滤膜的颗粒形貌圆润规则,与支撑体材料粘结强度高。