公开(公告)号：CN107910248A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711123939.7

申请日：2017-11-14

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 邹文 ,  胡胜 ,  刘淼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开了一种改善键合晶圆晶背缺陷的方法，属于半导体制造技术领域，在前制程完成后和晶圆键合前，对待键合的载体晶圆进行处理，所述方法包括以下步骤：步骤S1、于所述载体晶圆的外表面沉积一保护层；步骤S2、使用酸液去除所述载体晶圆的键合面上的所述保护层。上述技术方案的有益效果是：在待键合的载体晶圆的背面形成保护层，在晶圆键合后的后续工艺中不与清洗液反应，可以有效保护晶背，防止晶背缺陷产生或扩大，从而能够提升产品性能。

公开(公告)号：CN107749395A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201711052509.0

申请日：2017-10-30

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 刘淼 ,  邹文 ,  胡胜

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406

Abstract: 本发明公开了一种晶圆打标的方法，属于半导体制造技术领域，适用于在半导体制程结束时给晶圆打标，所述方法包括以下步骤：步骤S1、于前制程结束后和在晶圆上形成键合焊盘之前对晶圆打标，在晶圆表面形成标记图形；步骤S2、于晶圆上形成焊盘结构，以使所述标记图形上覆盖一层金属层。上述技术方案的有益效果是：对于在制程结束后给晶圆打标的工艺，先对晶圆打标，再在晶圆上形成焊盘结构，使得打标造成的副产物被焊盘结构中的金属层覆盖，避免副产物在晶圆清洗的过程中划伤晶圆，从而避免晶圆报废。

公开(公告)号：CN107749395B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201711052509.0

申请日：2017-10-30

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 刘淼 ,  邹文 ,  胡胜

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种晶圆打标的方法，属于半导体制造技术领域，适用于在半导体制程结束时给晶圆打标，所述方法包括以下步骤：步骤S1、于前制程结束后和在晶圆上形成键合焊盘之前对晶圆打标，在晶圆表面形成标记图形；步骤S2、于晶圆上形成焊盘结构，以使所述标记图形上覆盖一层金属层。上述技术方案的有益效果是：对于在制程结束后给晶圆打标的工艺，先对晶圆打标，再在晶圆上形成焊盘结构，使得打标造成的副产物被焊盘结构中的金属层覆盖，避免副产物在晶圆清洗的过程中划伤晶圆，从而避免晶圆报废。