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公开(公告)号：CN113584458B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110756515.4
申请日：2021-07-05
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明属于晶体合成技术领域，具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：1）将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中，将腔体抽真空后，通入氢气，调节氢气流量、气压和微波功率，产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热，并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内；2）待压强和等离子体状态稳定后，对步骤1）所述腔体内通入甲烷，控制甲烷和氢气的通入流量比，再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内；待通入甲烷6‑9h后关闭微波源，待腔体冷却，取出样品，得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。该方法有制备工艺简单，制备金刚石膜质量高，生长速度快等优点。
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公开(公告)号：CN107546109B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710774121.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 武汉工程大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，包括如下步骤：利用丙酮将去除硅衬底的金刚石薄膜窗口材料进行超声清洗；将清洗后的金刚石薄膜窗口含硅杂质的一面向上放置于离子体装置反应腔中的基片台上并对腔体抽真空；待真空度下降到标准真空度后通入氢气；用氢等离子体刻蚀金刚石薄膜窗口，直至碳化硅完全还原成硅；最后用硝酸与氢氟酸腐蚀去除硅。本发明利用氢等离子体将金刚石窗口表面的碳化硅还原成硅并用酸去除，在没有破坏金刚石窗口薄膜的前提下有效去除了残留在金刚石窗口表面的碳化硅等大分子杂质，减少了大分子杂质对金刚石薄膜窗口电子束的干扰和吸收，极大的提升了金刚石窗口的热稳定性。
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公开(公告)号：CN107400876B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710639969.7
申请日：2017-07-31
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种利用铜膜图形化制作纳米金刚石膜的方法，包含如下步骤：首先，先后用无水乙醇和去离子水对硅衬底进行超声波清洗，然后用纳米金刚石微粉的乙醇悬浊液对硅衬底进行超声波预处理，干燥；将与纳米金刚石膜的形状、大小一致的模板放置在硅衬底表面；在未被模板覆盖的硅衬底区域镀铜膜；移除模板；放入真空腔体内，通入工作气体，利用等离子体化学气相沉积的方法，低温下在未覆盖铜膜的位置沉积纳米金刚石膜；真空冷却，去真空，利用浓硝酸和氢氟酸的混合溶液腐蚀铜膜和硅衬底得到图形化了的纳米金刚石膜。本发明可以简单、易操作的制备出表面平整光滑，机械强度高的图形化纳米金刚石膜。
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公开(公告)号：CN107338476A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710639970.X
申请日：2017-07-31
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C30B29/36 , C30B29/64 , C30B25/00 , C23C16/448 , C23C16/511 , C23C16/32
CPC classification number: C30B29/36 , C23C16/32 , C23C16/4485 , C23C16/511 , C30B25/00 , C30B29/64
Abstract: 本发明公开了一种在MPCVD制备碳化钼晶体时利用在直流电弧引入钼源的方法，包含如下步骤：将两根清洗后的纯钼杆插入反应腔内上法兰的绝缘孔中，并将两根纯钼杆上端分别与直流电源的正电极端以及负电极端相连接；将硅衬底放入反应腔内的基片台上，对腔体抽真空；向反应腔腔体通入氢气，并调节微波功率和气压直至等离子体稳定，通入反应气体甲烷；打开直流电源，调节电压值，使得两根纯钼杆电极之间产生弧光放电，向微波等离子体中引入钼；待反应结束后，关机，取出样品。本发明通过直流电弧放电产生的高温使金属钼从固态转变为气态，带入下方的微波等离子体中参与反应，解决了碳化钼制备过程中钼的引入问题，极大的提高了碳化钼的制备效率。
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公开(公告)号：CN105252099B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510824068.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 武汉工程大学
IPC: B23K3/04 , B23K1/19 , B23K103/18
Abstract: 本发明涉及金属与金刚石焊接领域。一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，将金属法兰和金刚石窗口清洗；第二步，金属法兰和金刚石窗口分别涂上焊料，然后将涂有焊料的面接触叠放，得到试样；第三步，试样放入焊接腔中的基片台上，然后对焊接腔进行抽真空，调节基片台的位置使试样表面低于屏蔽圆筒的上端面；第四步，使气体吸收微波能量产生等离子体；第五步，调节基片台的高度使样品快速接触微波等离子体；第六步，焊接完成后，得到试件；真空冷却，去真空并取出焊接完成的试件，整个焊接工作完成。该方法显著提高焊接质量与稳定性，提高金属与金刚石的焊接效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103994736B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410233629.0
申请日：2014-05-29
Applicant: 武汉工程大学
IPC: G01B15/02
Abstract: 本发明公开了一种无损检测复合膜表面功能层厚度的方法，包括如下步骤：将样品放置于样品室；将不同能量的正电子分别入射至薄膜发生湮没并分别搜集湮没产生的伽马射线能谱；根据伽马能谱计算正电子湮没参数；根据正电子湮没参数与入射正电子能量的关系，可拟合计算薄膜厚度。本发明运用正电子湮没手段，根据不同能量的正电子在薄膜不同深度湮没所得到的参数，可定量分析复合膜表面层的厚度，此方法可不破坏样品，属于无损检测。
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公开(公告)号：CN101829485A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010168751.6
申请日：2010-04-30
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及大气压微波射流等离子体应用技术及含硫的工业烟气处理领域，特别是一种利用大气压微波射流等离子体技术脱除工业锅炉烟气中二氧化硫的方法，大气压微波射流等离子体发生器在大气压下利用微波激励空气放电产生大气压微波射流等离子体，将大气压微波射流等离子体直接喷射到脱硫反应腔中，同时在脱硫反应腔中注入氨气。本发明的有益效果是：可以完成对含硫的工业烟气进行脱硫处理，并且能够从含硫的工业烟气中回收硫胺，工业烟气的一次脱硫率可达80％以上。
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公开(公告)号：CN101143294A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710052759.4
申请日：2007-07-17
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供的从工业有机废气中回收微细碳粉的方法是：利用微波激励工业有机废气放电产生常压微波等离子体射流，该射流经高频感应加热后与冷却罩接触后，使射流中含有的处于活性状态的碳离子或碳原子迅速失去活性而形成微细碳粉，同时有机废气被分解成无害气体。本发明提供的装置设有常压微波等离子体射流源，其包括微波源(1)、微波调配与监控系统(3)，以及波导等离子体射流反应腔(5)和装在其上的喷嘴(12)、微波场压缩增强螺杆(13)、耦合天线(15)及微波抗流结构(19)；还设有高频感应加热线圈(20)和由冷却罩(8)和冷却腔(10)构成的收集器(6)。本发明可以完成对工业有机废气的分解分离处理和回收微细碳粉。
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公开(公告)号：CN118516652B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410997168.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干，置于UV光清洗机中进行活化处理；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3靶材进行预溅射，预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，溅射完毕后取出衬底；S3、将步骤S2中衬底在800~1000℃条件下进行真空退火，退火过程中持续通入O2，退火完成后在真空环境下自然降温，即完成Y2O3薄膜的制备。本发明制备的Y2O3薄膜具有致密性和耐刻蚀性，可以应用于刻蚀设备，提高设备使用寿命的同时还可提升设备性能。
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公开(公告)号：CN118516652A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410997168.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干，置于UV光清洗机中进行活化处理；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3靶材进行预溅射，预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，溅射完毕后取出衬底；S3、将步骤S2中衬底在800~1000℃条件下进行真空退火，退火过程中持续通入O2，退火完成后在真空环境下自然降温，即完成Y2O3薄膜的制备。本发明制备的Y2O3薄膜具有致密性和耐刻蚀性，可以应用于刻蚀设备，提高设备使用寿命的同时还可提升设备性能。
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