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公开(公告)号：CN110983267A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911012370.6
申请日：2019-10-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种水泥水化产物自支撑纳米薄膜的制备方法，包含以下步骤：(1)制备水泥水化产物靶材；(2)制备水牺牲层薄膜；(3)采用所述步骤(1)中得到的水泥水化产物靶材对步骤(2)中得到的水牺牲层薄膜表面进行溅射镀膜，得到水泥水化产物薄膜；(4)将所述步骤(3)的水泥水化产物薄膜置于氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，使水牺牲层薄膜水解，得到水泥水化产物自支撑纳米薄膜；其中，所述水泥水化产物为C-S-H、AFt或AFm。采用本发明的方法制备的水泥水化产物自支撑纳米薄膜均匀单一，尺寸和厚度可控。
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公开(公告)号：CN110983267B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201911012370.6
申请日：2019-10-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种水泥水化产物自支撑纳米薄膜的制备方法，包含以下步骤：(1)制备水泥水化产物靶材；(2)制备水牺牲层薄膜；(3)采用所述步骤(1)中得到的水泥水化产物靶材对步骤(2)中得到的水牺牲层薄膜表面进行溅射镀膜，得到水泥水化产物薄膜；(4)将所述步骤(3)的水泥水化产物薄膜置于氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，使水牺牲层薄膜水解，得到水泥水化产物自支撑纳米薄膜；其中，所述水泥水化产物为C‑S‑H、AFt或AFm。采用本发明的方法制备的水泥水化产物自支撑纳米薄膜均匀单一，尺寸和厚度可控。
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公开(公告)号：CN109487223B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811598296.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种水化硅酸钙纳米薄膜的制备方法，即是利用磁控溅射法制备水化硅酸钙(C‑S‑H)纳米薄膜的方法，首先将一定钙硅比的水化硅酸钙粉末煅烧，然后将煅烧后的粉体利用钢模压制成靶材，之后利用磁控溅射技术在衬底表面沉积一定厚度的薄膜，最后将薄膜样品放入氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，即可得到水化硅酸钙的纳米薄膜。本发明为微观尺度上水化硅酸钙微观形貌的观测、力学性能及耐久性能等方面的研究奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109487223A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811598296.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种水化硅酸钙纳米薄膜的制备方法，即是利用磁控溅射法制备水化硅酸钙(C-S-H)纳米薄膜的方法，首先将一定钙硅比的水化硅酸钙粉末煅烧，然后将煅烧后的粉体利用钢模压制成靶材，之后利用磁控溅射技术在衬底表面沉积一定厚度的薄膜，最后将薄膜样品放入氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，即可得到水化硅酸钙的纳米薄膜。本发明为微观尺度上水化硅酸钙微观形貌的观测、力学性能及耐久性能等方面的研究奠定了基础。
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