公开(公告)号：CN116037681A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310086229.0

申请日：2023-01-17

Applicant: 武汉大学

Inventor： 梅青松 ,  邵皓华 ,  谭媛媛 ,  陈子豪 ,  柏鹭飞 ,  王传兴 ,  李峰 ,  徐涛 ,  王一晨 ,  彭宇琦

IPC: B21B47/02 ,  B21B45/02

Abstract: 本发明涉及复合材料制备的技术领域，具体涉及一种金刚石颗粒均匀增强铜基复合材料的制备方法，步骤为：将金刚石颗粒均匀涂覆于纯铜片表面和未涂覆金刚石颗粒的纯铜片叠放进行轧制；每一道次轧制后都将铜片进行对折，然后再进行轧制；将得到的样品液压至具有一定的变形量，其中液压方向与轧制方向垂直；将得到的样品在一定温度下进行热轧，随后冷却至室温，再重复以上步骤多次，取最后一次降温后样品，除去表面杂质可得所述金刚石颗粒均匀增强铜基复合材料。本发明制备的金刚石颗粒均匀增强铜基复合材料致密、界面结合情况良好、金刚石颗粒在基体中均匀分布，具有良好的导热性和较低的热膨胀系数，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。