公开(公告)号：CN111153431A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010024832.2

申请日：2020-01-10

Applicant: 武汉大学

Inventor： 柯福生 ,  刘晓晨

IPC: C01G23/00 ,  C01G31/00 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01B19/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种新型二维异质结材料及其制备方法。本发明提供了一种高效、操作简单的方法制备Cu插层的TMDs化合物，该方法可替代传统的高温固相反应，避免将缺陷引入TMDs体相中，且Cu的嵌入浓度可精确调控，最大值可达1.2，得到的插层化合物性质均一；该方法拓宽了异质结材料的合成途径，并发掘二维导体/半导体异质结材料的应用潜力。

公开(公告)号：CN111153431B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010024832.2

申请日：2020-01-10

Applicant: 武汉大学

Inventor： 柯福生 ,  刘晓晨

IPC: C01G23/00 ,  C01G31/00 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01B19/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种新型二维异质结材料及其制备方法。本发明提供了一种高效、操作简单的方法制备Cu插层的TMDs化合物，该方法可替代传统的高温固相反应，避免将缺陷引入TMDs体相中，且Cu的嵌入浓度可精确调控，最大值可达1.2，得到的插层化合物性质均一；该方法拓宽了异质结材料的合成途径，并发掘二维导体/半导体异质结材料的应用潜力。