公开(公告)号：CN109417671B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201780042283.8

申请日：2017-02-21

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 村上步 ,  井上匡志 ,  堀本恭弘

IPC: H04R7/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84 ,  H04R1/02 ,  H04R7/22 ,  H04R17/02 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供在使用MEMS技术制作的电容式传感器中，可获得高的SN比，且可提高对输入压力的耐压性的技术。本发明的电容式传感器将膜片的位移转换成该膜片与所述背板之间的电容的变化，其中，从法线方向观察，膜片的外形的一部分配置于基板的开口的内侧，膜片的外形的其它部分配置于基板的开口的外侧。

公开(公告)号：CN109417671A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780042283.8

申请日：2017-02-21

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 村上步 ,  井上匡志 ,  堀本恭弘

IPC: H04R7/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84 ,  H04R1/02 ,  H04R7/22 ,  H04R17/02 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供在使用MEMS技术制作的电容式传感器中，可获得高的SN比，且可提高对输入压力的耐压性的技术。本发明的电容式传感器将膜片的位移转换成该膜片与所述背板之间的电容的变化，其中，从法线方向观察，膜片的外形的一部分配置于基板的开口的内侧，膜片的外形的其它部分配置于基板的开口的外侧。