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公开(公告)号:CN103262286A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201180060825.7
申请日:2011-12-13
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司 , 弗兰霍菲尔运输应用研究公司
发明人: 尼纳·里格尔 , 丹尼尔·斯特芬·塞茨 , 约尔格·弗里斯赫艾森 , 沃尔夫冈·布吕廷 , 托马斯·多贝廷 , 本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔 , 米夏埃尔·弗拉米希 , 卡斯藤·霍伊泽尔 , 诺贝特·丹茨
CPC分类号: H01L51/56 , H01L51/001 , H01L51/0012 , H01L51/0083 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5293
摘要: 本发明提出用于制造发射辐射的有机电子装置的方法并且提出借助所述方法制造的装置,其中所述有机电子装置具有第一电极层和第二电极层以及发射层,所述方法具有下述步骤:A)提供具有各向异性的分子结构的磷光发射体和基体材料,B)将第一电极层施加到衬底上,C)在热力学控制的情况下施加发射层,其中磷光发射体和基体材料在真空中蒸发并且沉积在第一电极层上,使得实现磷光发射体的分子的各向异性的定向,D)将第二电极层施加在发射层上。与610nm波长的p偏振光的发射角相关地示出各向异性地定向的磷光发射体的分子的检测到的相对强度(14)。所述检测到的相对强度尤其在角度大于45°时与发射层的模拟的强度分布(13)一致,其中60%的发射体分子任意地分布并且存在40%的发射体分子以水平定向的偶极子存在(虚线)。
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公开(公告)号:CN103262286B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201180060825.7
申请日:2011-12-13
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司 , 弗兰霍菲尔运输应用研究公司
发明人: 尼纳·里格尔 , 丹尼尔·斯特芬·塞茨 , 约尔格·弗里斯赫艾森 , 沃尔夫冈·布吕廷 , 托马斯·多贝廷 , 本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔 , 米夏埃尔·弗拉米希 , 卡斯藤·霍伊泽尔 , 诺贝特·丹茨
CPC分类号: H01L51/56 , H01L51/001 , H01L51/0012 , H01L51/0083 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5293
摘要: 本发明提出用于制造发射辐射的有机电子装置的方法并且提出借助所述方法制造的装置,其中所述有机电子装置具有第一电极层和第二电极层以及发射层,所述方法具有下述步骤:A)提供具有各向异性的分子结构的磷光发射体和基体材料,B)将第一电极层施加到衬底上,C)在热力学控制的情况下施加发射层,其中磷光发射体和基体材料在真空中蒸发并且沉积在第一电极层上,使得实现磷光发射体的分子的各向异性的定向,D)将第二电极层施加在发射层上。与610nm波长的p偏振光的发射角相关地示出各向异性地定向的磷光发射体的分子的检测到的相对强度(14)。所述检测到的相对强度尤其在角度大于45°时与发射层的模拟的强度分布(13)一致,其中60%的发射体分子任意地分布并且存在40%的发射体分子以水平定向的偶极子存在(虚线)。
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公开(公告)号:CN102449803A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201080023423.5
申请日:2010-05-27
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
发明人: 约尔格·弗里斯赫艾森 , 斯特凡·诺维 , 沃尔夫冈·布吕廷
IPC分类号: H01L51/52
CPC分类号: H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L51/5275
摘要: 在有机发光二极管(10)的至少一个实施形式中,其包括:第一电极(1),其借助金属形成,以及第二电极(2)。此外,有机发光二极管(10)包括有机层序列(3),其位于第一电极(1)和第二电极(2)之间。此外,有机发光二极管(10)具有辐射穿透的折射层(4),其位于第一电极(1)的背离有机层序列(3)的外侧(11)上。折射层(4)的平均折射率大于或者等于有机层序列(3)的平均折射率。由有机发光二极管(10)产生的电磁等离子辐射(P)的至少一部分穿过折射层(4)。
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公开(公告)号:CN102449803B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201080023423.5
申请日:2010-05-27
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
发明人: 约尔格·弗里斯赫艾森 , 斯特凡·诺维 , 沃尔夫冈·布吕廷
IPC分类号: H01L51/52
CPC分类号: H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L51/5275
摘要: 在有机发光二极管(10)的至少一个实施形式中,其包括:第一电极(1),其借助金属形成,以及第二电极(2)。此外,有机发光二极管(10)包括有机层序列(3),其位于第一电极(1)和第二电极(2)之间。此外,有机发光二极管(10)具有辐射穿透的折射层(4),其位于第一电极(1)的背离有机层序列(3)的外侧(11)上。折射层(4)的平均折射率大于或者等于有机层序列(3)的平均折射率。由有机发光二极管(10)产生的电磁等离子辐射(P)的至少一部分穿过折射层(4)。
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