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公开(公告)号：CN102439750B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201080019111.7
申请日：2010-04-28
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 安杰拉·埃贝哈特 , 乌尔丽克·比尔 , 约阿希姆·维尔特-朔恩 , 埃瓦尔德·珀斯尔
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525
Abstract: 本发明涉及一种具有第一基板(1)和第二基板(2)的构件。所述第一基板(1)上布置有至少一个含至少一种有机材料的光电子元件(4)。所述第一基板(1)和所述第二基板(2)如此相对布置，以使所述光电子元件(4)置于所述第一基板(1)和第二基板(2)之间。此外，所述第一基板(1)和第二基板(2)之间还布置有连接材料(3)，所述连接材料包围所述光电子元件(4)，并且使所述第一和第二基板(1，2)以机械方式相互连接。所述连接材料(3)包含含量大于0重量％和小于100重量％，优选在5重量％和80重量％且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％且包括10重量％的氧化银。此外，所述连接材料(3)还包含至少一种用于改变，优选用于降低所述连接材料(3)的热膨胀系数的填料(5)。本发明还涉及一种用于制造这种构件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102256909B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980151500.2
申请日：2009-12-10
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 安杰拉·埃贝哈特 , 蒂尔曼·施伦克尔 , 马克·菲利彭斯 , 乌尔丽克·比尔 , 约阿基姆·维特-舍恩 , 弗洛里安·佩什科勒 , 埃瓦尔德·珀斯尔 , 卡斯藤·霍伊泽尔 , 阿尔弗雷德·兰格 , 马丁·穆勒
CPC classification number: C03C27/06 , H01L51/5246 , H01L51/5256 , H01L51/5259
Abstract: 本发明涉及一种用于制造光电子结构元件的方法，其具有步骤：A)提供第一衬底(1)，其具有有源区域(12)和包围有源区域(12)的第一连接区域(11)，其中在有源区域(12)内构成有机功能层序列(3)；B)提供第二衬底(2)，其具有覆盖区域(22)和包围覆盖区域(22)的第二连接区域(21)；C)将由第一玻璃焊料组成的第一连接层(4)直接施加在第二衬底(2)上且施加在第二连接区域(21)内；D)使第一连接层(4)的第一玻璃焊料玻化(91)；E)将第二连接层(5)施加在玻化的第一连接层(4)或第一衬底(1)的第一连接区域(11)上；以及F)将第一衬底(1)与第二衬底(2)连接，使得第二连接层(5)将第一连接区域(11)与第一连接层(4)连接。此外本发明涉及一种有机光电子结构元件。
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公开(公告)号：CN102782888A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011327.3
申请日：2011-02-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司 , 欧司朗股份有限公司
Inventor： 安杰拉·埃贝哈特 , 约阿基姆·维特-舍恩 , 埃瓦尔德·珀斯尔
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体芯片（1）和转换元件（2）的发射辐射的器件（10），其中半导体芯片（1）包括适合于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面（11）。转换元件（2）包括基体材料（2a）和发光材料（2b），其中转换元件（2）设置在半导体芯片（1）的辐射出射面（11）下游。基体材料包括40重量%的碲氧化物并且没有三氧化二硼和/或锗氧化物。此外提出一种用于制造这种发射辐射的器件（10）的方法。
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公开(公告)号：CN102439750A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080019111.7
申请日：2010-04-28
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 安杰拉·埃贝哈特 , 乌尔丽克·比尔 , 约阿希姆·维尔特-朔恩 , 埃瓦尔德·珀斯尔
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525
Abstract: 本发明涉及一种具有第一基板(1)和第二基板(2)的构件。所述第一基板(1)上布置有至少一个含至少一种有机材料的光电子元件(4)。所述第一基板(1)和所述第二基板(2)如此相对布置，以使所述光电子元件(4)置于所述第一基板(1)和第二基板(2)之间。此外，所述第一基板(1)和第二基板(2)之间还布置有连接材料(3)，所述连接材料包围所述光电子元件(4)，并且使所述第一和第二基板(1，2)以机械方式相互连接。所述连接材料(3)包含含量大于0重量％和小于100重量％，优选在5重量％和80重量％且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％且包括10重量％的氧化银。此外，所述连接材料(3)还包含至少一种用于改变，优选用于降低所述连接材料(3)的热膨胀系数的填料(5)。本发明还涉及一种用于制造这种构件的方法。
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公开(公告)号：CN102782888B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180011327.3
申请日：2011-02-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司 , 欧司朗股份有限公司
Inventor： 安杰拉·埃贝哈特 , 约阿基姆·维特-舍恩 , 埃瓦尔德·珀斯尔
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体芯片（1）和转换元件（2）的发射辐射的器件（10），其中半导体芯片（1）包括适合于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面（11）。转换元件（2）包括基体材料（2a）和发光材料（2b），其中转换元件（2）设置在半导体芯片（1）的辐射出射面（11）下游。基体材料包括40重量%的碲氧化物并且没有三氧化二硼和/或锗氧化物。此外提出一种用于制造这种发射辐射的器件（10）的方法。
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公开(公告)号：CN102256909A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151500.2
申请日：2009-12-10
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 安杰拉·埃贝哈特 , 蒂尔曼·施伦克尔 , 马克·菲利彭斯 , 乌尔丽克·比尔 , 约阿基姆·维特-舍恩 , 弗洛里安·佩什科勒 , 埃瓦尔德·珀斯尔 , 卡斯藤·霍伊泽尔 , 阿尔弗雷德·兰格 , 马丁·穆勒
CPC classification number: C03C27/06 , H01L51/5246 , H01L51/5256 , H01L51/5259
Abstract: 本发明涉及一种用于制造光电子结构元件的方法，其具有步骤：A)提供第一衬底(1)，其具有有源区域(12)和包围有源区域(12)的第一连接区域(11)，其中在有源区域(12)内构成有机功能层序列(3)；B)提供第二衬底(2)，其具有覆盖区域(22)和包围覆盖区域(22)的第二连接区域(21)；C)将由第一玻璃焊料组成的第一连接层(4)直接施加在第二衬底(2)上且施加在第二连接区域(21)内；D)使第一连接层(4)的第一玻璃焊料玻化(91)；E)将第二连接层(5)施加在玻化的第一连接层(4)或第一衬底(1)的第一连接区域(11)上；以及F)将第一衬底(1)与第二衬底(2)连接，使得第二连接层(5)将第一连接区域(11)与第一连接层(4)连接。此外本发明涉及一种有机光电子结构元件。
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