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公开(公告)号：CN102983273A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210572290.8
申请日：2009-04-01
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： R·E·朔伊尔莱因
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691
Abstract: 一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极（28），在该第一导电电极上形成绝缘结构（13），在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件（14），在该电阻率切换元件上形成第二导电电极（26），以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件（22），其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN101999170B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980112695.X
申请日：2009-04-01
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： R·E·朔伊尔莱因
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691
Abstract: 一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极(28)，在该第一导电电极上形成绝缘结构(13)，在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件(14)，在该电阻率切换元件上形成第二导电电极(26)，以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件(22)，其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN101999170A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112695.X
申请日：2009-04-01
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： R·E·朔伊尔莱因
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691
Abstract: 一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极(28)，在该第一导电电极上形成绝缘结构(13)，在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件(14)，在该电阻率切换元件上形成第二导电电极(26)，以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件(22)，其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。
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