公开(公告)号：CN113169119B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201980083330.2

申请日：2019-11-26

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： 卢庆煌 ,  赵伟 ,  张艳丽 ,  J·凯 ,  岩井孝明 ,  诚古藤 ,  长峰纱冶子 ,  津美正三里 ,  井上茂久 ,  久保智博

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层32和导电层46的交替堆叠，该交替堆叠定位在衬底(9,10)上方；第一存储器开口填充结构58A，该第一存储器开口填充结构延伸穿过交替堆叠(32,46)，其中该第一存储器开口填充结构(58A)中的每个第一存储器开口填充结构包括相应的第一存储器膜(50)、接触该相应的第一存储器膜(50)的内侧壁的相应的第一竖直半导体沟道(60)以及相应的第一介电芯(62)，该第一介电芯在其下部部分处具有圆形或椭圆形水平横截面形状，并且在其上部部分处具有半圆形或半椭圆形水平横截面形状。

公开(公告)号：CN113169119A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980083330.2

申请日：2019-11-26

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： 卢庆煌 ,  赵伟 ,  张艳丽 ,  J·凯 ,  岩井孝明 ,  诚古藤 ,  长峰纱冶子 ,  津美正三里 ,  井上茂久 ,  久保智博

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层32和导电层46的交替堆叠，该交替堆叠定位在衬底(9,10)上方；第一存储器开口填充结构58A，该第一存储器开口填充结构延伸穿过交替堆叠(32,46)，其中该第一存储器开口填充结构(58A)中的每个第一存储器开口填充结构包括相应的第一存储器膜(50)、接触该相应的第一存储器膜(50)的内侧壁的相应的第一竖直半导体沟道(60)以及相应的第一介电芯(62)，该第一介电芯在其下部部分处具有圆形或椭圆形水平横截面形状，并且在其上部部分处具有半圆形或半椭圆形水平横截面形状。