公开(公告)号：CN118176575A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072556.4

申请日：2022-05-18

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： 崎山伸 ,  水野真太 ,  饭塚健三 ,  横山誉幸 ,  濑贺敏行

IPC: H01L23/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H01L21/02 ,  H01L23/31

Abstract: 一种存储器裸片包括嵌入在衬底半导体层内、沿第一水平方向横向间隔开并且各自沿垂直于该第一水平方向的第二水平方向横向延伸的介电隔离轨，以及位于该衬底半导体层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠。该交替堆叠通过沿该第一水平方向横向延伸的线沟槽沿该第二水平方向横向间隔开。提供存储器堆叠结构的阵列，使得这些存储器堆叠结构的阵列当中的每个存储器堆叠结构的阵列竖直地延伸穿过相应交替堆叠。这些存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括相应的竖直存储器元件堆叠和相应的竖直半导体沟道。

公开(公告)号：CN116584166A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180087677.1

申请日：2021-06-14

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： 水野真太 ,  饭塚健三 ,  清水悟 ,  和泉圭佑 ,  樋上达也 ,  寺泽佑仁 ,  岛袋诚司 ,  伊藤良介 ,  张艳丽 ,  J·阿尔斯迈耶 ,  吉田佑介

IPC: H10B43/50

Abstract: 一种三维存储器装置包含：第一字线区，其包含第一字线和连续绝缘层的第一交替堆叠；第一存储器堆叠结构，其竖直地延伸穿过所述第一交替堆叠；第二字线区，其包括第二字线和所述连续绝缘层的第二交替堆叠；第二存储器堆叠结构，其竖直地延伸穿过所述第二交替堆叠；多个电介质分离器结构，其位于所述第一字线区与所述第二字线区之间；以及至少一个桥接区，其位于所述多个电介质分离器结构之间以及所述第一字线区与所述第二字线区之间。所述连续绝缘层在所述第一字线区中的所述第一交替堆叠与所述第二字线区中的所述第二交替堆叠之间延伸穿过所述至少一个桥接区。