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发明公开
包括用于减少翘曲的介电轨的三维存储器装置及其制造方法审中-实审转让

公开(公告)号：CN118176575A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072556.4

申请日：2022-05-18

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： 崎山伸 , 水野真太 , 饭塚健三 , 横山誉幸 , 濑贺敏行

IPC: H01L23/00 , H10B41/35 , H10B43/35 , H01L21/02 , H01L23/31

Abstract: 一种存储器裸片包括嵌入在衬底半导体层内、沿第一水平方向横向间隔开并且各自沿垂直于该第一水平方向的第二水平方向横向延伸的介电隔离轨，以及位于该衬底半导体层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠。该交替堆叠通过沿该第一水平方向横向延伸的线沟槽沿该第二水平方向横向间隔开。提供存储器堆叠结构的阵列，使得这些存储器堆叠结构的阵列当中的每个存储器堆叠结构的阵列竖直地延伸穿过相应交替堆叠。这些存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括相应的竖直存储器元件堆叠和相应的竖直半导体沟道。

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