公开(公告)号：CN118574429A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410587375.6

申请日：2024-05-13

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  北京大学重庆碳基集成电路研究院

Inventor： 李海鸥 ,  黄港 ,  刘洪刚

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/82 ,  H10K71/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种耐压碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，器件包括衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、栅介质层、金属栅、漏端接触层和可加电压场板，其中衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、栅介质层和金属栅从下至上依次设置；本发明中通过将可加电压场板一部分覆盖在在漏端接触层上，一部分在碳纳米管有源层上，降低了漏端的电场强度，优化了电场分布，并通过外加电压实现对电场的调制。进一步的，本发明作为四端器件，除了源极、漏极、栅极可加电压电流之外，还有场板也可加电压以调制晶体管的耐受电压，并且将两块可加电压场板可以通过引线并联在一起，还可以实现两块场板的电压强度相等。