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发明公开
一种基于甲酸气氛下锡淀析的增材方法审中-实审

公开(公告)号：CN119392174A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411518306.6

申请日：2024-10-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 何思亮 , 胡靓颖 , 熊苾富 , 李望云 , 毕宇浩 , 江剑

IPC: C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/18 , C23C14/16

Abstract: 本发明涉及一种在甲酸气氛下基于锡淀析的增材制造方法，旨在改善传统薄膜制备技术中存在的高成本、设备复杂、操作条件严格及工艺局限等问题。通过在甲酸气氛中利用锡蒸镀现象，实现特定厚度范围内的金属薄膜高效沉积，特别适用于半导体器件中锡层的制备。本方法无需昂贵的高能量源或复杂的靶材设备，操作简便、成本较低，且具备较高的工艺灵活性，能够满足多种应用场景中对金属薄膜的需求。

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