公开(公告)号：CN116953847A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310961327.4

申请日：2023-08-02

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 胡聪 ,  潘静茹 ,  万春霆 ,  李越

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/26 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器，包括二氧化硅衬底和两个平行邻近的混合表面等离子体波导。其中波导结构模型由矩形有机聚合物纳米线、二氧化硅层、和银层自上而下叠加而成，其中矩形有机聚合物纳米线材料由IPC‑E和聚砜(Polysulfone)制备的主客掺杂型电光聚合物(25％IPC‑E+Polysulfone)(折射率为1.67)。本发明具有尺寸小，优异的传输特性和耦合特性。在一定程度上解决了传统表面等离子体定向耦合器传输损耗偏大、弱耦合条件与实际制作加工难度、难以同时实现较强的场局域性与良好的传输特性的问题，对相关微纳光子器件的研究有借鉴意义，在未来的光片上网络领域将有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN117092837A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310961322.1

申请日：2023-08-02

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 胡聪 ,  李越 ,  潘静茹 ,  黄喜军

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02F1/015 ,  G02F1/01 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络互连的基于槽波导的光电调制器，包括二氧化硅衬底和在二氧化硅衬底上的槽波导输入输出端口以及调制区域、空气包层。槽波导由两个高折射率介质硅(Si)层、中间低折射率二氧化硅(SiO2)层组成；调制区域是在槽波导的基础上，在硅层外侧添加氧化铟锡(ITO)层、二氧化铪(HfO2)层和金属电极(Au)层由里向外叠加而成；槽波导区域以及调制区域波导厚度和宽度相等，在二氧化硅衬底的上表面依次连接；调制区域的氧化铟锡(ITO)层接地，金属电极层与正电极相接；本发明具有尺寸小、功耗低、高光约束的优势。

公开(公告)号：CN117270102A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311331689.1

申请日：2023-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 胡聪 ,  李越 ,  潘静茹

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02B6/27 ,  G02F1/061

Abstract: 本发明公开一种基于槽波导微环谐振器的可调谐光滤波器,包括绝缘硅基底、槽波导微环谐振器，槽波导微环谐振器由2条直槽波导、1个槽波导微环组成；直槽波导由两个高折射率介质硅(Si)层、中间低折射率二氧化硅(SiO2)层垂直叠放组成；槽波导微环由电极金属金(Au)环、高折射率介质硅(Si)环、二氧化铪(HfO2)环、EO聚合物环、二氧化铪(HfO2)环、高折射率介质硅(Si)环、电极金属金(Au)环7层依次由上往下叠放而成，上下对称；上下两侧电极金属层分别与正、负电极相接。本发明具有功耗低、高光约束、可调谐的优势。