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公开(公告)号：CN118347939A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410527055.1
申请日：2024-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/01 , H01Q15/00 , H01Q17/00 , G01N21/3581
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料传感器技术领域，尤其涉及一种基于方形对称型多谐振的太赫兹超材料传感器，由一个或多个金属谐振器、具有一定数值的相对介电常数的介质基底和金属底板构成。本发明通过将四个由金属条构成的C型完全相同的金属图案以及一个十字金属图案设置在具有一定数值的相对介电常数的介质基底上，且四个C型金属图案对角置于顶层中央使得四个C型金属结构之间构成四个宽度一致的开口，可以形成一个典型的吸收型超材料结构设计。同时将介质基底设置在金属底板上，使得本发明形成的太赫兹超材料传感器是一种构型简单的金属谐振器‑介质‑金属底板结构。并且本发明在太赫兹波段实现了高灵敏度、高品质因数Q值的传感，解决了现有太赫兹传感器结构复杂，传感灵敏度较低以及品质因数较差的缺陷。
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公开(公告)号：CN119602603A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411629533.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种调制模式切换同步整流软开关降压式恒压电源，包括输入滤波电路、功率电感L1、输出滤波电路、主开关管Q1、同步整流管Q2以及控制电路；所述功率电感L1左端连接于主开关管Q1的源极与同步整流管Q2漏极，功率电感L1右端连接于输出电容的正极，主开关管Q1的漏极连接至输入电容正极，同步整流管Q2源极通过功率电感电流采样电阻RS1接入参考地；所述控制电路分别控制所述的主开关管Q1和同步整流管Q2的开关状态，实现同步整流管Q2的零电压导通。本发明通过不同调制模式的特性，实现了轻载与重载的调制模式切换与同步整流管软开关，减少了开关电源在不同情况下的损耗。
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公开(公告)号：CN119209021A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411557464.2
申请日：2024-11-04
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料传感器技术领域，尤其涉及一种基于二氧化钒的偏振不敏感的超宽带太赫兹超材料吸波器，该吸波器由二氧化钒谐振层、光子晶体板介质层以及金属反射层构成，使得本发明形成的太赫兹超材料吸波器是一种构型简单的超材料谐振层‑介质‑金属底板结构。仿真结果表明，当VO2为金属态时，该吸波器在4.78‑13.28THz频率范围内实现超宽带吸收，平均吸收率高达到97.5%，吸收带宽为8.5THz，相对带宽为94.1%。通过改变二氧化钒的电导率，吸波器的吸收率可以在1.2%至97.5%之间动态调节。该太赫兹超宽带吸波器在可调宽带吸收器件、隐身器件、热探测、太赫兹开关等领域具有潜在的应用价值。此外，该吸波器具有偏振不敏感以及广角吸收特性，其偏振不敏感特性进一步提高了该器件在多场景应用中的实用性，使其具备了多功能和高可靠性的优势。
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公开(公告)号：CN118554182A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410757317.3
申请日：2024-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料器件技术领域，尤其涉及一种基于二氧化钒的“开关”型可调太赫兹超材料吸波器，该吸波器由若干超材料正方形结构单元呈周期性排列而成，相邻超材料正方形周期单元间无间隙。每个超材料正方形结构单元自上而下由一个或多个金属谐振器、相变薄膜层，介质基底以及金属底板构成，其中相变薄膜层的材料为二氧化钒。通过外部激励改变二氧化钒电导率实现二氧化钒由金属态到绝缘态可逆相变过程，外部激励可以为光、温度以及电压，当二氧化钒为绝缘态时起太赫兹波三窄带高吸收功能，当二氧化钒为金属态时太赫兹波吸收率大幅度降低，实现了对吸波器吸收太赫兹波的“开”和“关”操作。本发明可以实现在一个器件上实现太赫兹吸波的“开关”功能，解决了现有太赫兹传感器结构复杂以及一旦制成其功能性质就被固定的缺陷。
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