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公开(公告)号：CN117293558A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311176655.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钒的带宽可调太赫兹极化器件，极化转换器的单元结构由三层结构组成：底层为金属反射层；中间层为聚酰亚胺介质层；顶层为金和相变材料二氧化钒组成的复合超表面。该太赫兹器件可以通过改变环境温度使得器件表现出优异的线极化转换带宽调控，以实现主动控制的目的；在太赫兹相关技术领域具有较大的应用前景，丰富太赫兹调控和功能器件，推动太赫兹技术的发展。
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公开(公告)号：CN117155133A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311177956.4
申请日：2023-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多路输出的反激式恒流电源，涉及开关电源技术领域，包括：变压器、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第一电阻、第二电阻以及控制电路。所述控制电路，用于提供第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号以分别控制所述的第一开关管、第二开关管和第三开关管的开关状态，通过较少的器件和较为简单的控制方式实现多路的恒流输出，并改善了多路输出电源的交叉调节的问题。
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公开(公告)号：CN117092833A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311176653.0
申请日：2023-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钒复合手性超表面的太赫兹可调圆二色性器件，其特征为：它是由金基底、聚酰亚胺(PI)介质层和嵌入VO2的金属谐振层三层结构组成。由于顶层复合结构与介质层之间发生的相互作用而产生了很强的圆二色性(CD)，并且可以通过改变二氧化钒温度来使其电导率发生变化，达到实现圆二色性波峰高度可调节。本发明具有圆二色性效果好，峰值可达0.95，并且峰值高低和频率可调，圆二色性可逆，可用于光学检测和医疗检测等领域，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119602603A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411629533.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种调制模式切换同步整流软开关降压式恒压电源，包括输入滤波电路、功率电感L1、输出滤波电路、主开关管Q1、同步整流管Q2以及控制电路；所述功率电感L1左端连接于主开关管Q1的源极与同步整流管Q2漏极，功率电感L1右端连接于输出电容的正极，主开关管Q1的漏极连接至输入电容正极，同步整流管Q2源极通过功率电感电流采样电阻RS1接入参考地；所述控制电路分别控制所述的主开关管Q1和同步整流管Q2的开关状态，实现同步整流管Q2的零电压导通。本发明通过不同调制模式的特性，实现了轻载与重载的调制模式切换与同步整流管软开关，减少了开关电源在不同情况下的损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116864999A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310818639.X
申请日：2023-07-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料器件技术领域，尤其涉及一种宽带吸收与极化转换可切换的环‑扇结构太赫兹器件，包括多个结构单元，每个结构单元由相变环形层、吸收介质层、金属扇形层、相变薄膜层、极化介质层和金属底层从上至下依次堆叠构成，其中相变环形层和相变薄膜层的材料为二氧化钒，通过温度改变二氧化钒电导率，在二氧化钒绝缘态时起宽带交叉极化转换作用，在二氧化钒金属态时起宽带吸收作用且具有极化不敏感和广角吸收优势。本发明可以实现同一器件的不同功能切换，同时在宽带吸收时具有极化不敏感和广角吸收的特点，解决了现有太赫兹器件一旦制成其性质就被固定且不可调谐的缺陷。
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公开(公告)号：CN119647537A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510013405.7
申请日：2025-01-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06F15/78
Abstract: 本发明公开了一种基于Zynq的卷积神经网络硬件加速系统，基于Zynq异构芯片实现，包含PL端模块、PS端模块和存储模块。PL端模块包括卷积加速模块、全连接层加速模块和Softmax激活模块，用于完成卷积计算、全连接运算和激活函数处理；PS端模块包括输入数据处理模块和后处理模块，负责输入数据的加载与预处理以及检测结果的排序和筛选。存储模块由片内存储器和片外存储器构成，其中片内存储器存储输入数据的中间处理结果、卷积核和中间特征图数据；片外存储器存储原始图像数据、全连接层的权重参数和最终检测结果。各模块通过64位AXI总线连接，PS端模块负责协调数据流动，PL端模块执行高效并行计算。本系统充分利用Zynq异构架构的高性能特性，适用于卷积神经网络的高效推理加速场景，特别在嵌入式AI设备中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119210164A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411441622.8
申请日：2024-10-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种漏极反馈和源极反馈结合的强制谐振反激式恒流电源，涉及开关电源技术领域，包括变压器T1、RCD钳位电路、第一开关管Q1、第二开关管Q2以及控制电路；所述控制电路用于提供第一控制信号、第二控制信号以分别控制所述的第一开关管和第二开关管的开关状态，实现第一开关管的零电压导通。本发明通过强制谐振辅助电路的特性，实现了第一开关管软开关的特性，大幅降低开关损耗；同时使用漏极反馈和源极反馈相结合的方式，减小变换器尺寸降低生产成本，提高采样精度。
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公开(公告)号：CN118315818A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311542041.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钒在同一频点可切换多功能超表面器件，器件一共由五层结构组成：顶层为二氧化钒外框、金开口圆环和填充开口圆环的二氧化钒圆弧，第二层为聚酰亚胺介质层、第三层为二氧化钒薄膜、第四层为聚酰亚胺介质层、第五层为与顶层金开口圆环完全相同方向沿轴心旋转180°的金圆环。超表面功能的切换可以通过改变温度导致二氧化钒电导率的改变来实现。二氧化钒处于金属态时，超表面表现双频吸波功能；二氧化钒处于介质态时，超表面表现出极化转化聚焦透镜功能。为波前调控、聚焦透镜和隐身等功能的器件设计提出了新思路。
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公开(公告)号：CN117335159A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311503168.X
申请日：2023-11-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料器件技术领域，具体涉及一种基于二氧化钒的焦点可切换超透镜太赫兹器件，包括多个单元结构，每个单元结构从下到上由金属底层、介质层和谐振方环层共三层组成，其中谐振方环层有两个开口方环，内环是由金与二氧化钒复合而成，外环由二氧化钒构成。超表面在将入射的x极化波转换为y极化波的同时实现了波束聚焦。通过温度改变二氧化钒的电导率，当二氧化钒处于绝缘态时，波束聚焦于L=1914 um处；在二氧化钒处于金属态时，波束聚焦于L=982 um处，与预设焦距接近。本发明在不改变结构参数下，实现了焦点切换，解决了传统金属透镜功能单一的问题，使其具有普遍性和灵活性。
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