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公开(公告)号：CN119725057A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311258643.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Inventor： 李少林 , 唐英杰
IPC: H01J37/21 , H01J37/06 , H01J37/141 , H01J37/30
Abstract: 通过聚焦磁场和偏转磁场以及电子枪结构深入分析，建立多极磁场系统，减小像差对电子束束斑的影响，通过结构优化减小像差对电子束束斑形状的影响，使电子束形成的形状更加接近圆形，使其功率密度分布呈高斯分布，能量分布均匀。
