公开(公告)号：CN219834828U

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202321371735.6

申请日：2023-05-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 凌永发 ,  李洁欣 ,  廖清

IPC: H10N70/20

Abstract: 本申请提供了一种采用PMMA/MoS2异质结构作为活性层的双功能层忆阻器包括衬底层、底电极层、石墨烯层、二硫化钼层、聚甲基丙烯酸甲酯层和顶电极层，所述底电极层位于所述衬底层的表面，所述石墨烯层位于所述底电极层远离所述衬底层的一侧表面，所述二硫化钼层位于所述石墨烯层远离所述底电极层的一侧表面，所述聚甲基丙烯酸甲酯层位于所述二硫化钼层远离所述底电极层的一侧表面，所述顶电极层位于所述聚甲基丙烯酸甲酯层远离所述二硫化钼层的一侧表面。所述双功能层忆阻器的稳定性好、可重复性好、器件体积小、功耗低以及便于集成。

公开(公告)号：CN220172135U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321278708.4

申请日：2023-05-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 凌永发 ,  骆滔 ,  廖清

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供了一种过渡金属硫化物垂直场效应晶体管，包括覆盖在衬底正面第一区域上的石墨烯层、一部分覆盖在石墨烯层上且另一部分覆盖在衬底正面第二区域上的二硫化钼层以及源极、漏极和栅极，第一区域和第二区域沿第一方向上排列，且在第一方向上，第一区域的尺寸占衬底正面的三分之一至二分之一，且小于第二区域的尺寸，二硫化钼层的第一部分的尺寸占整个二硫化钼层尺寸的四分之一至二分之一。因此，本申请实施例提供的过渡金属硫化物垂直场效应晶体管便于在形成源/漏极时具有较充足的区域，以降低对光刻工艺的要求，同时还有利于提高过渡金属硫化物垂直场效应晶体管稳定性和降低工艺难度。