公开(公告)号：CN113921690A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111006809.1

申请日：2021-08-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭英 ,  农剑 ,  苗蕾 ,  高杰 ,  刘呈燕

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法。一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到硼、铝双掺的硅锗基热电材料。本发明通过特定含量的硼与铝双掺杂，并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。

公开(公告)号：CN113921689A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111006804.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭英 ,  农剑 ,  苗蕾 ,  高杰 ,  刘呈燕

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料及其制备方法。一种掺杂氧化物的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到掺杂氧化物的硅锗基热电材料。本发明通过特定氧化物(氧化硼)的掺杂并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。