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发明公开
一种自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118996343A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410937937.5

申请日：2024-07-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张鑫 , 任诗音 , 饶光辉 , 王松伟 , 李林 , 赵景泰

IPC: C23C14/28 , C23C14/08 , C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜的制备方法。该方法选用MgO单晶衬底，使用脉冲激光沉积系统(PLD)制备M/MgO薄膜，再通过湿法刻蚀制备所述自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜。其制备方法主要包括以下步骤：S1、制备M型六角铁氧体靶材；S2、脉冲激光沉积，原位退火制得M/MgO薄膜；S3、对所述薄膜二次退火；S4、将二次退火后的薄膜转移，得到所述自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜。本发明相比于传统的湿法刻蚀牺牲层法，利用MgO单晶衬底的溶解特性，减少衬底与薄膜之间的牺牲层，简化制备工艺，使得制备过程简单，制备周期较短，薄膜可依托于柔性衬底，大幅度拓展了其应用范围。

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