一种含铌的镓酸盐低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN107056253A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710269408.2

    申请日:2017-04-24

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种含铌的镓酸盐温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷BiNb2Ga3O11及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Bi2O3、Nb2O5和Ga2O3的原始粉末按BiNb2Ga3O11的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1050℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1100~1150℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1150℃以下烧结良好,介电常数达到21.1~21.9,其品质因数Qf值高达74000‑98000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种含锂的铟酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN107056252A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710269406.3

    申请日:2017-04-24

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种含锂的铟酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3V2In3O11及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、V2O5和In2O3的原始粉末按Li3V2In3O11的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在950℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1000~1050℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1050℃以下烧结良好,介电常数达到14.2~14.9,其品质因数Qf值高达87000‑104000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种钼酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN106986645A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710268604.8

    申请日:2017-04-23

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3Gd3Mo2O12及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Gd2O3和MoO3的原始粉末按Li3Gd3Mo2O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到11.0~11.8,其品质因数Qf值高达77000‑104000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种含铕的钨酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN106966727A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201710278731.6

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiEu3W2O11及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Eu2O3和WO3的原始粉末按LiEu3W2O11的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到11.9~12.7,其品质因数Qf值高达86000‑112000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Si2O9

    公开(公告)号:CN106242531A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610587351.6

    申请日:2016-07-24

    Inventor: 徐敏育 段炼 唐莹

    Abstract: 本发明公开了一种超低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Si2O9及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和SiO2的原始粉末按LiGa3Si2O9的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在950~1000℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1000℃以下烧结良好,介电常数达到9.1~9.9,其品质因数Qf值高达84000-102000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li2ZnGe2O6

    公开(公告)号:CN106242528A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610567599.6

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 方亮 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li2ZnGe2O6及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、ZnO和GeO2的原始粉末按Li2ZnGe2O6的组成称量配料;质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到11.3~12.1,其品质因数Qf值高达78000-108000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介

    温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9

    公开(公告)号:CN106220160A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610583716.8

    申请日:2016-07-22

    Inventor: 校凯 段炼 陈爽

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9及其制备方法。Li2CO3、Bi2O3和GeO2的原始粉末按LiBi3Ge2O9的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950℃以下烧结良好,介电常数达到20.1~20.7,其品质因数Qf值高达78000-96000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的

    Li2MgSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用

    公开(公告)号:CN106187159A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610571746.7

    申请日:2016-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2MgSn2O6及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、MgO和SnO2的原始粉末按Li2MgSn2O6的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1150℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1200~1250℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1250℃以下烧结良好,介电常数达到21.6~22.7,其品质因数Qf值高达79000-112000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Bi4Ge3O13

    公开(公告)号:CN106187152A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610576473.5

    申请日:2016-07-20

    Inventor: 校凯 段炼 卢锋奇

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Bi4Ge3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Bi2O3和GeO2的原始粉末按Li2Bi4Ge3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到7.2~7.9,其品质因数Qf值高达76000-98000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

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