-
公开(公告)号：CN110013863B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201910230595.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047
Abstract: 本发明公开了一种一步溶剂热合成CuS‑WO3复合材料的方法。将制备CuS所需的硫源和铜源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂乙二醇中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CuS和WO3同时生成，得到CuS‑WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变铜源、硫源和钨源的浓度控制复合物中CuS和WO3的相对含量，从而调节CuS‑WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CuS‑WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
-
公开(公告)号：CN108511541A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810112864.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/0336 , B82Y30/00 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种2D MoS2-2D PbS范德华异质结光电纳米材料的制备方法。以分散在溶剂中的MoS2超薄层为载体，醋酸铅和硫代乙酰胺分别为铅源和硫源，通过油酸、三辛基膦和三氯乙烷配体的作用使PbS在MoS2上定向生长成薄膜，从而得到2D MoS2-2D PbS范德华异质结纳米复合材料。本发明操作简单，能够通过改变醋酸铅和硫代乙酰胺的浓度控制2D PbS层在MoS2超薄层上的附着量，复合材料的光电性能优于单独的2D MoS2材料，并且光电流随着2D PbS在复合材料中的含量的改变而发生变化，所制备的二维2D MoS2-2D PbS范德华异质结材料在光电领域有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108283931A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711498698.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/00 , B01J37/30
CPC classification number: B01J37/30 , B01J27/051 , B01J35/0033 , B01J35/004
Abstract: 本发明公开了一种离子交换制备PbS-MoSx光电复合材料的方法。在合成PbS纳米片的基础上，通过离子交换，采用Mo5+离子将PbS纳米片表层的Pb2+离子交换出来，使表面转化为MoSx,形成PbS-MoSx的复合异质结构。本发明操作简单，能够通过改变离子交换的反应时间控制PbS纳米片表面MoSx层的厚度，从而改变材料的光电性能。离子交换反应后得到的复合物材料的光电性能优于单独的PbS纳米片，所制备的PbS-MoSx复合材料在光电领域有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110215925B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910494366.1
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法。将制备CdS所需的硫源和镉源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CdS和WO3同时生成，得到CdS‑WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变镉源、硫源和钨源的相对浓度控制复合物中CdS和WO3的相对含量，从而调节CdS‑WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CdS‑WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
-
公开(公告)号：CN109012700B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201811065030.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料的制备方法。以分散在WCl6前驱反应液中的CuS和氧化石墨烯为载体，在溶剂热条件下，氧化石墨烯被还原，同时在溶剂热过程中，W18O49直接在CuS和石墨烯上生长，最终得到CuS‑W18O49‑rGO的复合材料。本发明方法能够通过改变反应液中WCl6的浓度控制W18O49在复合物中的含量。复合材料的光电和光催化性能均优于纯CuS材料，并且随W18O49在复合物中含量的改变而发生变化。所制备的CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料能够用于光电和光催化领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109012700A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811065030.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/36 , C02F101/38
CPC classification number: B01J27/04 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2101/36 , C02F2101/38 , C02F2101/40 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料的制备方法。以分散在WCl6前驱反应液中的CuS和氧化石墨烯为载体，在溶剂热条件下，氧化石墨烯被还原，同时在溶剂热过程中，W18O49直接在CuS和石墨烯上生长，最终得到CuS‑W18O49‑rGO的复合材料。本发明方法能够通过改变反应液中WCl6的浓度控制W18O49在复合物中的含量。复合材料的光电和光催化性能均优于纯CuS材料，并且随W18O49在复合物中含量的改变而发生变化。所制备的CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料能够用于光电和光催化领域。
-
公开(公告)号：CN111710754B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010394736.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0328
Abstract: 一种两相一步溶剂热制备Bi2S3‑石墨烯‑ZnS光电复合材料的方法，将合成Bi2S3的原料配成以苯甲醇为溶剂的油性溶液，合成ZnS的原料配成以水为溶剂的水性溶液，利用氧化石墨烯亲水和亲油的两亲性乳化这两种互不相溶的溶液的混合液，通过一步溶剂热反应，使Bi2S3在氧化石墨烯的一侧沉积，ZnS在另一侧沉积，同时氧化石墨烯被还原为石墨烯，得到Bi2S3‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明方法解决了传统一步法和两步法制备复合材料时，不能保证两种半导体都直接与石墨烯接触，从而影响光电性能的问题。本发明操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光电性能，所制备的Bi2S3‑石墨烯‑ZnS复合材料具有较好的光电响应性，在光电领域有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111710754A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010394736.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0328
Abstract: 本发明公开了一种两相一步溶剂热制备Bi2S3-石墨烯-ZnS光电复合材料的方法。发明利用氧化石墨烯亲水和亲油的两亲性乳化互不相溶的两种原料溶液，通过一步溶剂热反应，使Bi2S3在氧化石墨烯的一侧沉积，ZnS在另一侧沉积，同时氧化石墨烯被还原为石墨烯，得到Bi2S3-石墨烯-ZnS复合材料。本发明方法解决了传统一步法和两步法制备复合材料时，不能保证两种半导体都直接与石墨烯接触，从而影响光电性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光电性能，所制备的Bi2S3-石墨烯-ZnS复合材料具有较好的光电响应性，在光电领域有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110215925A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910494366.1
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种均相一步合成CdS-WO3复合材料的方法。将制备CdS所需的硫源和镉源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CdS和WO3同时生成，得到CdS-WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变镉源、硫源和钨源的相对浓度控制复合物中CdS和WO3的相对含量，从而调节CdS-WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CdS-WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
-
公开(公告)号：CN110013863A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910230595.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047
Abstract: 本发明公开了一种一步溶剂热合成CuS-WO3复合材料的方法。将制备CuS所需的硫源和铜源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂乙二醇中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CuS和WO3同时生成，得到CuS-WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变铜源、硫源和钨源的浓度控制复合物中CuS和WO3的相对含量，从而调节CuS-WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CuS-WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.022 seconds)
