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公开(公告)号：CN112951988A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110128328.1
申请日：2021-01-29
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，采用磁控溅射法，以Pt金属为靶材，沉积100nm厚度的Pt为底电极。采用电子束蒸发法沉积5nm厚度的Ti或Al，借助超薄AAO模板制备出了高度有序的Ti或Al纳米岛阵列。Ti纳米岛平均直径为57.7nm，岛之间中心间距平均距离为100.2nm。再用磁控溅射法，以WOy(y＝2.7～2.9)为靶材，沉积30nm厚度的WOx(x＝2.2～2.5)制得WOx/Ti NI/Pt和WOx/Al NI/Pt器件。本发明提供了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，无Forming(电铸)过程且阻变电压散布性低，相比光刻技术而言，成本更低。
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公开(公告)号：CN114464734B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210133874.9
申请日：2022-02-14
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理，使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸，减小晶界，促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处，减少氧空位通道的形成路径，获得VSET和VRESET，RLRS和RHRS散布性更小的器件。
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公开(公告)号：CN114464734A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210133874.9
申请日：2022-02-14
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理，使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸，减小晶界，促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处，减少氧空位通道的形成路径，获得VSET和VRESET，RLRS和RHRS散布性更小的器件。
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公开(公告)号：CN110246641B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910366427.6
申请日：2019-05-05
Abstract: 本发明公开了一种制备良好分散性的降解透明质酸修饰的氧化铁纳米粒子的方法。在生物医学领域的应用要求氧化铁纳米粒子在水中稳定分散，电泳粒度要在40nm以下。虽然透明质酸(Hyalurex Acid,HA)修饰的氧化铁纳米粒子具有潜在的生物医学应用，但HA直接修饰的氧化铁纳米粒子团聚严重，电泳粒度大，不能用于生物医学应用中，本发明是先将HA降解为26K左右的小分子，其保留HA的基本官能团，降解后的透明质酸(oHA)修饰的氧化铁纳米粒子在水中分散性好，电泳力度小于40nm，适合作为体内及体外的生物学应用。
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公开(公告)号：CN113917784A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111181021.4
申请日：2021-10-11
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种基于套刻技术的顶栅结构全固态记忆晶体管多变量掩膜版；所述一种掩膜版，包括3块子掩膜版，具体为沟道掩膜版、源漏电极掩膜版以及栅极掩膜版；其中，沟道掩膜版包括8种不同的器件尺寸，每种器件尺寸对应2种沟道区域和源漏电极区域接触方式，构成16种可形成对比的器件。本发明掩膜版采用设备简单、易于控制、成膜效果好的磁控溅射法制备所需薄膜，制膜工艺兼容CMOS工艺，利于器件批量生产。本发明各部分材料为全固态材料，可优化有机材料和液态材料固有的降解和难封装问题。
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