公开(公告)号：CN114764086B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202011608489.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 核动力运行研究所

Inventor： 祁攀 ,  宫淼 ,  龚剑 ,  张耀 ,  韩孝坤 ,  殷宇 ,  胡沁宇

IPC: G01N27/90

Abstract: 本发明公开了一种基于偏置磁化下涡流检测差动磁导率的管道内检测方法，包括以下步骤：采用磁化器将被检管道进行弱磁化，在管道外部或外壁裂纹周围产生最大的局部磁感应强度畸变；检测探头包括一个涡流激励线圈和一个TMR传感器，将一个涡流激励线圈和一个TMR传感器的同轴线布置，沿法向分别布置于管道的内表面，涡流激励线圈在管道表层产生涡流，TMR传感器放置于激励线圈中且本身自动对信号进行差动处理，探测管道表层磁导率在磁化方向上的差动变化等，其优点是：实现了弱磁下对外壁缺陷的检测。具有结构简单、通用性和互换性强的优点，并可实现非接触的快速自动化检测，信噪比和灵敏度高。

公开(公告)号：CN114764086A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202011608489.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 核动力运行研究所

Inventor： 祁攀 ,  宫淼 ,  龚剑 ,  张耀 ,  韩孝坤 ,  殷宇 ,  胡沁宇

IPC: G01N27/90

Abstract: 本发明公开了一种基于偏置磁化下涡流检测差动磁导率的管道内检测方法，包括以下步骤：采用磁化器将被检管道进行弱磁化，在管道外部或外壁裂纹周围产生最大的局部磁感应强度畸变；检测探头包括一个涡流激励线圈和一个TMR传感器，将一个涡流激励线圈和一个TMR传感器的同轴线布置，沿法向分别布置于管道的内表面，涡流激励线圈在管道表层产生涡流，TMR传感器放置于激励线圈中且本身自动对信号进行差动处理，探测管道表层磁导率在磁化方向上的差动变化等，其优点是：实现了弱磁下对外壁缺陷的检测。具有结构简单、通用性和互换性强的优点，并可实现非接触的快速自动化检测，信噪比和灵敏度高。