公开(公告)号：CN107850959A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041046.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  闵进赫 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕 ,  李一翻

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

公开(公告)号：CN108292179A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069731.9

申请日：2016-12-07

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/041 ,  B32B15/08 ,  G02F1/1343

Abstract: 本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地，根据本发明的实施例的导电结构包括：设置在基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。

公开(公告)号：CN108139638A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680053281.4

申请日：2016-10-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  章盛晧 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。

公开(公告)号：CN108139638B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201680053281.4

申请日：2016-10-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  章盛晧 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。

公开(公告)号：CN107850959B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201680041046.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  闵进赫 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕 ,  李一翻

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

公开(公告)号：CN107197627A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201680005431.4

申请日：2016-02-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 林振炯 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  李一翻

IPC: C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。根据本发明的一个实施方案的导电结构体的制造方法包括以下步骤：在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成步骤通过使用CO2的反应溅射来进行。

公开(公告)号：CN108292179B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201680069731.9

申请日：2016-12-07

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/041 ,  B32B15/08 ,  G02F1/1343

Abstract: 本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地，根据本发明的实施例的导电结构包括：设置在基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。

公开(公告)号：CN101960651B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200980106371.5

申请日：2009-02-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 裵允玎 ,  李汉浩 ,  闵进赫 ,  李恩周 ,  郑钟锡

IPC: H01M4/02

CPC classification number: H01M4/0438 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/366 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

Abstract: 一种锂离子二次电池的阳极，包括阳极以及以基于LiF的颗粒在阳极表面上形成的基于LiF的包覆层。所述基于LiF的包覆层厚度为0.05至1μm。所述阳极使得通过在电池充/放电过程中LiPF6副反应产生的基于LiF的包覆层可以相对均匀地形成在阳极表面，从而延长了锂离子二次电池的生命周期。

公开(公告)号：CN101960651A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106371.5

申请日：2009-02-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 裵允玎 ,  李汉浩 ,  闵进赫 ,  李恩周 ,  郑钟锡

IPC: H01M4/02

CPC classification number: H01M4/0438 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/366 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

Abstract: 一种锂离子二次电池的阳极，包括阳极以及以基于LiF的颗粒在阳极表面上形成的基于LiF的包覆层。所述基于LiF的包覆层厚度为0.05至1μm。所述阳极使得通过在电池充/放电过程中LiPF6副反应产生的基于LiF的包覆层可以相对均匀地形成在阳极表面，从而延长了锂离子二次电池的生命周期。