公开(公告)号：CN107850959A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041046.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  闵进赫 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕 ,  李一翻

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

公开(公告)号：CN107408420A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680018324.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  章盛晧 ,  朴镇宇

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G02B1/113 ,  G06F3/045

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02B1/113 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01B5/14 ,  G06F3/045 ,  H01B5/00 ,  H01B13/00

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。

公开(公告)号：CN107250905A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680010976.4

申请日：2016-05-02

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  黄智泳 ,  李承宪 ,  吴东炫 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133502 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置，包括：基板；以及减光反射层，该减光反射层设置在线电极如栅电极、源电极、漏电极、栅极线和数据线的至少一个的一个表面上。因此，本发明可以控制由线电极引起的光反射，从而改善可视性的降低，并且实现高清晰度显示器。

公开(公告)号：CN108139638B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201680053281.4

申请日：2016-10-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  章盛晧 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。

公开(公告)号：CN107850959B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201680041046.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  闵进赫 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕 ,  李一翻

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

公开(公告)号：CN107408420B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201680018324.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  章盛晧 ,  朴镇宇

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G02B1/113 ,  G06F3/045

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02B1/113 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01B5/14

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。

公开(公告)号：CN107660279A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201680029909.7

申请日：2016-06-01

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  章盛皓 ,  朴镇宇 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F3/046

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制造方法。

公开(公告)号：CN107428127A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680018878.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  李承宪 ,  章盛晧 ,  吴东炫 ,  黄智泳 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨 ,  朴宣赢

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  G02F1/13 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01L51/00

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

公开(公告)号：CN107197627A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201680005431.4

申请日：2016-02-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 林振炯 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  李一翻

IPC: C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。根据本发明的一个实施方案的导电结构体的制造方法包括以下步骤：在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成步骤通过使用CO2的反应溅射来进行。

公开(公告)号：CN107407993B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201680018258.1

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG 化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/041 ,  H01B5/00 ,  G02B1/10 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明涉及一种传导性结构及其一种制造方法，该传导性结构包括：基板；和形成布置在基板上的屏幕部分、布线部分和垫部分的导线，其中导线包括金属层、布置在金属层上的第一防反射层和布置在第一防反射层上的第二防反射层，并且第一防反射层和第二防反射层包含氮氧化铝。另外，第二防反射层的氮原子的元素含量的特征在于该元素含量小于第一防反射层的氮原子的元素含量。