-
-
-
公开(公告)号:CN106462088A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580031398.8
申请日:2015-07-10
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G03F7/34
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶去除设备以及使用所述设备的光刻胶去除方法,所述设备包括:剥离室,其包括用于去除光刻胶的剥离剂储存槽、用于使表面上形成有光刻胶的基底移动的基底移动装置、用于将用于去除光刻胶的剥离剂喷淋到基底移动装置上的剥离剂喷淋器、以及将用于去除光刻胶的剥离剂从储存槽输送至剥离剂喷淋器的剥离剂输送装置;冷却装置,其位于剥离室的上方并且使剥离室中蒸发的物质冷却;以及传送装置,其将通过冷却装置冷却的物质传送至用于去除光刻胶的剥离剂储存槽或剥离室。
-
公开(公告)号:CN106662825A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580038411.2
申请日:2015-08-31
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法,所述组合物包含:至少一种胺化合物;至少一种选自非质子极性有机溶剂和水的溶剂;质子极性有机溶剂;以及聚醚改性的聚二甲基硅氧烷,所述聚醚改性的聚二甲基硅氧烷在20℃下的动态粘度为25mPa·s至250mPa·s且包含20摩尔%至70摩尔%的包含聚醚类官能团的聚二甲基硅氧烷重复单元。
-
-
-
公开(公告)号:CN106462088B
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201580031398.8
申请日:2015-07-10
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G03F7/34
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶去除设备以及使用所述设备的光刻胶去除方法,所述设备包括:剥离室,其包括用于去除光刻胶的剥离剂储存槽、用于使表面上形成有光刻胶的基底移动的基底移动装置、用于将用于去除光刻胶的剥离剂喷淋到基底移动装置上的剥离剂喷淋器、以及将用于去除光刻胶的剥离剂从储存槽输送至剥离剂喷淋器的剥离剂输送装置;冷却装置,其位于剥离室的上方并且使剥离室中蒸发的物质冷却;以及传送装置,其将通过冷却装置冷却的物质传送至用于去除光刻胶的剥离剂储存槽或剥离室。
-
-
-
-
-
-
-