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公开(公告)号：CN104662641A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046681.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08F2438/03 , G03F7/0002 , G11B5/746 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662641B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380046681.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08F2438/03 , G03F7/0002 , G11B5/746 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。
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公开(公告)号：CN104718154B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380051331.1
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
CPC classification number: C08J7/12 , B22F1/0025 , B22F9/18 , B22F2001/0037 , B82B3/0014 , B82Y40/00 , C08J2333/26 , C30B29/02 , C30B29/60 , H01B13/0016 , H01B13/0026 , H01B13/003
Abstract: 本发明涉及形成金属纳米线或金属纳米网的方法。更具体地，本发明涉及形成金属纳米线或金属纳米网的方法，其能够通过更简化的方法将各种金属纳米线或金属纳米网形成期望的形状。所述形成金属纳米线或金属纳米网的方法包括以下步骤：在基底上形成嵌段共聚物薄膜，该嵌段共聚物包括预定的硬链段以及含有一种或更多种选自以下的聚合物重复单元的软链段：基于聚(甲基)丙烯酸酯、基于聚环氧烷、基于聚乙烯基吡啶、基于聚苯乙烯、基于聚二烯及基于聚内酯的重复单元；将嵌段共聚物薄膜中的所述硬链段和软链段排列为层状或柱形；选择性除去所述软链段；在所述硬链段上吸附金属前体；以及除去所述硬链段。
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公开(公告)号：CN104718154A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380051331.1
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
CPC classification number: C08J7/12 , B22F1/0025 , B22F9/18 , B22F2001/0037 , B82B3/0014 , B82Y40/00 , C08J2333/26 , C30B29/02 , C30B29/60 , H01B13/0016 , H01B13/0026 , H01B13/003
Abstract: 本发明涉及形成金属纳米线或金属纳米网的方法。更具体地，本发明涉及形成金属纳米线或金属纳米网的方法，其能够通过更简化的方法将各种金属纳米线或金属纳米网形成期望的形状。所述形成金属纳米线或金属纳米网的方法包括以下步骤：在基底上形成嵌段共聚物薄膜，该嵌段共聚物包括预定的硬链段以及含有一种或更多种选自以下的聚合物重复单元的软链段：基于聚(甲基)丙烯酸酯、基于聚环氧烷、基于聚乙烯基吡啶、基于聚苯乙烯、基于聚二烯及基于聚内酯的重复单元；将嵌段共聚物薄膜中的所述硬链段和软链段排列为层状或柱形；选择性除去所述软链段；在所述硬链段上吸附金属前体；以及除去所述硬链段。
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公开(公告)号：CN105722865B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201580002529.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C08F120/06 , A61L15/24 , A61L15/60 , C08F2/10 , C08F2/44 , C08F2/50 , C08F10/02 , C08F220/06 , C08J3/075 , C08F2222/1013
Abstract: 本发明涉及包含水溶性盐的超吸收性聚合物及其制备方法，并且更具体地，涉及改进的超吸收性聚合物及其制备方法，其中通过在聚合超吸收性聚合物的步骤中添加水溶性金属盐使得降低残留单体(RM)浓度的效果是优异的。
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公开(公告)号：CN105722865A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201580002529.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C08F120/06 , A61L15/24 , A61L15/60 , C08F2/10 , C08F2/44 , C08F2/50 , C08F10/02 , C08F220/06 , C08J3/075 , C08F2222/1013
Abstract: 本发明涉及包含水溶性盐的超吸收性聚合物及其制备方法，并且更具体地，涉及改进的超吸收性聚合物及其制备方法，其中通过在聚合超吸收性聚合物的步骤中添加水溶性金属盐使得降低残留单体(RM)浓度的效果是优异的。
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