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公开(公告)号：CN115052840B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202180013039.5
申请日：2021-05-26
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/525
Abstract: 本发明提供了制备双峰型正极活性材料前体的方法和通过上述方法制备的正极活性材料前体，所述方法包括：第一步骤：准备第一过渡金属水溶液和第二过渡金属水溶液；第二步骤：将包含所述第一过渡金属水溶液、含铵阳离子的络合物形成剂和碱性水溶液的第一反应原料输入反应器中，在pH 12以上的条件下进行沉淀反应以诱导第一正极活性材料前体粒子的成核，以及在低于pH 12的条件下进行沉淀反应以诱导所述第一正极活性材料前体粒子的生长；以及第三步骤：将包含所述第二过渡金属水溶液、含铵阳离子的络合物形成剂和碱性水溶液的第二反应原料输入容纳有所述第一正极活性材料前体粒子的所述反应器中，在pH 12以上的条件下进行沉淀反应以诱导第二正极活性材料前体粒子的成核，以及低于pH 12的条件下进行沉淀反应以诱导所述第一正极活性材料前体粒子和所述第二正极活性材料前体粒子的同时生长，由此制备包含具有相互不同的平均粒径(D50)的所述第一正极活性材料前体粒子和所述第二正极活性材料前体粒子的双峰型正极活性材料前体，其中所述第一过渡金属水溶液和所述第二过渡金属水溶液中的至少一种含有选自Zr、B、W、Mo、Cr、Al、Ti、Mg、Ta和Nb中的一种以上掺杂元素。
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公开(公告)号：CN119968340A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380071811.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种制备具有减少的表面杂质或无表面杂质的无钴富锰正极活性材料前体的方法、由此制备的在其表面上不含诸如锰氧化物的杂质的正极活性材料前体、以及使用该正极活性材料前体制备正极活性材料的方法。
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公开(公告)号：CN118414313A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202380015159.8
申请日：2023-08-17
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种正极活性材料前体、其制备方法、正极活性材料和制备正极活性材料的方法，并提供：一种正极活性材料前体，所述正极活性材料前体包含Ni和Mn、以及由多个一次粒子聚集而形成的二次粒子，其中，二次粒子的核面积与粒子的总面积之比(核面积/总面积)为28.7％至34.1％，并且由如下数学式1表示的孔隙率为11.3％至11.7％；一种制备该正极活性材料前体的方法；一种包含该正极活性材料前体与锂原料的反应产物的正极活性材料；以及一种使用该正极活性材料前体来制备正极活性材料的方法。
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公开(公告)号：CN115052840A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013039.5
申请日：2021-05-26
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明提供了制备双峰型正极活性材料前体的方法和通过上述方法制备的正极活性材料前体，所述方法包括：第一步骤：准备第一过渡金属水溶液和第二过渡金属水溶液；第二步骤：将包含所述第一过渡金属水溶液、含铵阳离子的络合物形成剂和碱性水溶液的第一反应原料输入反应器中，在pH 12以上的条件下进行沉淀反应以诱导第一正极活性材料前体粒子的成核，以及在低于pH 12的条件下进行沉淀反应以诱导所述第一正极活性材料前体粒子的生长；以及第三步骤：将包含所述第二过渡金属水溶液、含铵阳离子的络合物形成剂和碱性水溶液的第二反应原料输入容纳有所述第一正极活性材料前体粒子的所述反应器中，在pH 12以上的条件下进行沉淀反应以诱导第二正极活性材料前体粒子的成核，以及低于pH 12的条件下进行沉淀反应以诱导所述第一正极活性材料前体粒子和所述第二正极活性材料前体粒子的同时生长，由此制备包含具有相互不同的平均粒径(D50)的所述第一正极活性材料前体粒子和所述第二正极活性材料前体粒子的双峰型正极活性材料前体，其中所述第一过渡金属水溶液和所述第二过渡金属水溶液中的至少一种含有选自Zr、B、W、Mo、Cr、Al、Ti、Mg、Ta和Nb中的一种以上掺杂元素。
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