公开(公告)号：CN110998869B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201880051001.5

申请日：2018-05-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 福田将典 ,  波内俊文 ,  松田高洋

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683 ,  H01L31/0747

Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法是具有第一主面、第二主面，并包含形成于半导体基板的第一主面侧的第一薄膜、以及形成于半导体基板的上述第二主面侧的第二薄膜的光电转换元件的制造方法，包含：将未形成第一薄膜以及第二薄膜的第一半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第一制膜位置(81)的第一配置步骤；将在第一主面侧至少形成有第一薄膜，在第二主面侧未形成第二薄膜的第二半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第二制膜位置(82)的第二配置步骤；以及在第一制膜室(61)中，在同一期间内，在第一半导体基板的第一主面侧形成第一薄膜、在第二半导体基板的第二主面侧形成第二薄膜的第一制膜步骤。

公开(公告)号：CN110998869A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051001.5

申请日：2018-05-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 福田将典 ,  波内俊文 ,  松田高洋

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683 ,  H01L31/0747

Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法是具有第一主面、第二主面，并包含形成于半导体基板的第一主面侧的第一薄膜、以及形成于半导体基板的上述第二主面侧的第二薄膜的光电转换元件的制造方法，包含：将未形成第一薄膜以及第二薄膜的第一半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第一制膜位置(81)的第一配置步骤；将在第一主面侧至少形成有第一薄膜，在第二主面侧未形成第二薄膜的第二半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第二制膜位置(82)的第二配置步骤；以及在第一制膜室(61)中，在同一期间内，在第一半导体基板的第一主面侧形成第一薄膜、在第二半导体基板的第二主面侧形成第二薄膜的第一制膜步骤。