半导体压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1739014B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200480002413.8

    申请日:2004-01-29

    CPC classification number: G01L9/0054 G01L19/0069

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种不损害压力测定精度及连接的可靠性且实现小型化的半导体压力传感器,该半导体压力传感器中,在由单晶硅形成的膜片的表面形成有压电电阻感压计的感压芯片的背面侧粘结玻璃基板,在膜片的背面与玻璃基板之间形成空间,且根据该空间与在膜片表面侧形成的空间的压力差来测定被测定压力。为达到该目的,该半导体压力传感器具有:树脂制突部,其形成于在感压芯片表面所配置的感压计电极或来自感压计电极的配线上;凸块,其形成为覆盖树脂制突部的一部分或整体。

    半导体压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1739014A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200480002413.8

    申请日:2004-01-29

    CPC classification number: G01L9/0054 G01L19/0069

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种不损害压力测定精度及连接的可靠性且实现小型化的半导体压力传感器,该半导体压力传感器中,在由单晶硅形成的膜片的表面形成有压电电阻感压计的感压芯片的背面侧粘结玻璃基板,在膜片的背面与玻璃基板之间形成空间,且根据该空间与在膜片表面侧形成的空间的压力差来测定被测定压力。为达到该目的,该半导体压力传感器具有:树脂制突部,其形成于在感压芯片表面所配置的感压计电极或来自感压计电极的配线上;凸块,其形成为覆盖树脂制突部的一部分或整体。

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