基板处理方法、基板处理装置及控制程序

    公开(公告)号:CN101116176A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200680004278.X

    申请日:2006-01-30

    Abstract: 提供一种基板处理方法、实施该方法的基板处理装置、及用于它们的控制程序,该基板处理方法具备:用水覆盖基板(W)的表面预先的工序(28);将基板(W)以表面为上侧而保持成大致水平并使其在水平面内旋转的工序(10);和对基板(W)的上侧的表面喷射与基板(W)的表面积相比较细的干燥用气流的工序(30、40);喷射干燥用气流的同时,通过水平面内的旋转从基板表面除去水,能够不局部地残留水滴而使清洗后的基板干燥。

    基片处理装置、基片处理方法和基片固定装置

    公开(公告)号:CN1833314A

    公开(公告)日:2006-09-13

    申请号:CN200480022684.X

    申请日:2004-07-28

    Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法,用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理,同时旋转基片,例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体,包括:基片固定器(11),用于固定和旋转基片(W);和固定器抽吸单元(24),用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括:多个压辊(20),与基片(W)的边缘部分接触,从而固定和旋转基片(W);和至少一个移动机构(303a),用于移动压辊(20)。

    基板处理方法、基板处理装置及控制程序

    公开(公告)号:CN100524639C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200680004278.X

    申请日:2006-01-30

    Abstract: 提供一种基板处理方法、实施该方法的基板处理装置、及用于它们的控制程序,该基板处理方法具备:用水覆盖基板(W)的表面预先的工序(28);将基板(W)以表面为上侧而保持成大致水平并使其在水平面内旋转的工序(10);和对基板(W)的上侧的表面喷射与基板(W)的表面积相比较细的干燥用气流的工序(30、40);喷射干燥用气流的同时,通过水平面内的旋转从基板表面除去水,能够不局部地残留水滴而使清洗后的基板干燥。

    基片处理装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100442448C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200480022684.X

    申请日:2004-07-28

    Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法,用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理,同时旋转基片,例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体,包括:基片固定器(11),用于固定和旋转基片(W);和固定器抽吸单元(24),用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括:多个压辊(20),与基片(W)的边缘部分接触,从而固定和旋转基片(W);和至少一个移动机构(303a),用于移动压辊(20)。

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